論文の概要: Photorefractive effect in LiNbO$_3$-based integrated-optical circuits
for continuous variable experiments
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2007.11375v1
- Date: Wed, 22 Jul 2020 12:37:45 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-05-08 18:39:13.082201
- Title: Photorefractive effect in LiNbO$_3$-based integrated-optical circuits
for continuous variable experiments
- Title(参考訳): 連続可変実験用LiNbO$_3$ベース集積光回路における光屈折効果
- Authors: Fran\c{c}ois Mondain, Floriane Brunel, Xin Hua, Elie Gouzien,
Alessandro Zavatta, Tommaso Lunghi, Florent Doutre, Marc P. De Micheli,
S\'ebastien Tanzilli, and Virginia D'Auria
- Abstract要約: 光屈折効果は、オンチップ量子フォトニクス実験の成功を損なう可能性がある。
波長1550nmの非古典的な光の発生の文脈において,775nmの光によって誘起される光屈折効果に着目した。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 45.82374977939355
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We investigate the impact of photorefractive effect on lithium niobate
integrated quantum photonic circuits dedicated to continuous variable on-chip
experiments. The circuit main building blocks, i.e. cavities, directional
couplers, and periodically poled nonlinear waveguides are studied. This work
demonstrates that, even when the effect of photorefractivity is weaker than
spatial mode hopping, they might compromise the success of on-chip quantum
photonics experiments. We describe in detail the characterization methods
leading to the identification of this possible issue. We also study to which
extent device heating represents a viable solution to counter this effect. We
focus on photorefractive effect induced by light at 775 nm, in the context of
the generation of non-classical light at 1550 nm telecom wavelength.
- Abstract(参考訳): 連続可変オンチップ実験専用のニオブ酸リチウム集積量子フォトニック回路におけるフォトリフラクティブ効果の影響について検討した。
回路主ビルディングブロック、すなわちキャビティ、指向性カプラ、周期的な偏極非線形導波路の研究を行う。
この研究は、光反応性の効果が空間モードホッピングよりも弱いとしても、オンチップ量子フォトニクス実験の成功を損なう可能性があることを示した。
本稿では,この問題の特定につながる特徴的手法について詳述する。
また, この効果に対して, デバイス加熱が有効な解決策となるかについても検討した。
1550nm帯における非古典光発生の文脈において,775nmの光による光屈折効果に着目した。
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