論文の概要: Dirac quantum well engineering on the surface of topological insulator
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2007.13978v2
- Date: Wed, 14 Oct 2020 12:33:43 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-05-07 23:25:57.878774
- Title: Dirac quantum well engineering on the surface of topological insulator
- Title(参考訳): 位相絶縁体表面におけるディラック量子井戸工学
- Authors: Xin Lu and Mark-Oliver Goerbig
- Abstract要約: 2つの自明な絶縁体の間に挟まれた薄いトポロジカル絶縁体からなる量子井戸について検討する。
キラル界面状態に対する非常に弱い効果と、より一般的なボルコフ・パンクラトフ状態のハイブリッド化との間には強い違いがある。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 4.175807931922537
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We investigate a quantum well that consists of a thin topological insulator
sandwiched between two trivial insulators. More specifically, we consider
smooth interfaces between these different types of materials such that the
interfaces host not only the chiral interface states, whose existence is
dictated by the bulk-edge correspondence, but also massive Volkov-Pankratov
states. We investigate possible hybridization between these interface states as
a function of the width of the topological material and of the characteristic
interface size. Most saliently, we find a strong qualitative difference between
an extremely weak effect on the chiral interface states and a more common
hybridization of the massive Volkov-Pankratov states that can be easily
understood in terms of quantum tunneling in the framework of the model of a
(Dirac) quantum well we introduce here.
- Abstract(参考訳): 2つの自明な絶縁体の間に挟まれた薄いトポロジカル絶縁体からなる量子井戸について検討する。
より具体的には、これらの異なる種類の物質間の滑らかな界面を考えると、界面はキラルな界面状態だけでなく、バルクエッジ対応によって存在が決定されるだけでなく、巨大なヴォルコフ・パンクラトフ状態も持つ。
トポロジカル素材の幅と特性界面サイズの関数として,これらの界面状態間のハイブリダイゼーションの可能性を検討する。
最も注目すべきは、キラルな界面状態に対する非常に弱い効果と、ここで紹介する(dirac)量子井戸のモデルにおける量子トンネルの観点で容易に理解できる巨大なヴォルコフ・パンクラトフ状態のより一般的なハイブリダイゼーションとの間には、強い定性的な違いがあるということである。
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