論文の概要: Phase randomness in a gain-switched semiconductor laser: stochastic differential equation analysis

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2011.10401v1
• Date: Fri, 20 Nov 2020 13:35:35 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-04-23 14:53:59.223866
• Title: Phase randomness in a gain-switched semiconductor laser: stochastic differential equation analysis
• Title（参考訳）: ゲインスイッチ半導体レーザの位相ランダム性:確率微分方程式解析
• Authors: Roman Shakhovoy, Alexander Tumachek, Natalia Andronova, Yury Mironov, and Yury Kurochkin
• Abstract要約: 我々は、ゲインスイッチング半導体レーザーの位相ランダム性の理論解析を行い、量子エントロピー源として応用した。 数値シミュレーションにより、位相拡散r.m.s.はバイアス電流に非線形に依存することを示した。 レーザーパルス間の位相拡散は、常に要求される効率を期待できないことが示されている。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 55.41644538483948
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: We performed theoretical analysis of the phase randomness in a gain-switched semiconductor laser in the context of its application as a quantum entropy source. Numerical simulations demonstrate that phase diffusion r.m.s. exhibits non-linear dependence on the bias current, which could be of significant practical importance, particularly, in application to high-speed optical quantum random number generators. It is shown that phase diffusion between laser pulses cannot always be assumed to exhibit required efficiency, particularly, at high pulse repetition rates. It was also revealed that the gain saturation significantly affects the r.m.s. value of the phase diffusion and, in essence, determines the degree of non-linearity of its dependence on the pump current.
• Abstract（参考訳）: 我々は、ゲインスイッチング半導体レーザーの位相ランダム性の理論解析を行い、量子エントロピー源として応用した。 数値シミュレーションにより、位相拡散r.m.s.はバイアス電流に非線形依存を示すことが示され、特に高速光量子乱数発生器への応用において重要な実用的重要性を持つ。 レーザーパルス間の位相拡散は必ずしも必要効率、特にパルス反復率の高い場合の位相拡散は仮定できないことが示されている。 また, ゲイン飽和度は相拡散のr.m.s.値に大きく影響し, ポンプ電流依存性の非線形性が決定されることが明らかとなった。

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