論文の概要: Femtosecond Laser Writing of Spin Defects in Hexagonal Boron Nitride
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2012.03207v2
- Date: Wed, 3 Feb 2021 10:52:37 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-04-21 22:57:00.284453
- Title: Femtosecond Laser Writing of Spin Defects in Hexagonal Boron Nitride
- Title（参考訳）: 六方晶窒化ホウ素中のスピン欠陥のフェムト秒レーザー書き込み
- Authors: Xingyu Gao, Siddhant Pandey, Mehran Kianinia, Jonghoon Ahn, Peng Ju,
Igor Aharonovich, Niranjan Shivaram, Tongcang Li
- Abstract要約: ヘキサゴナル窒化ホウ素(hBN)の光適応性スピンアンサンブルをフェムト秒レーザー照射により生成できることを実証した。
我々は,hBNにおけるスピン欠陥の生成がフェムト秒レーザーのパルスエネルギーに強く影響されていることを示す。
我々の研究は、フェムト秒レーザーによるhBNのスピン欠陥生成に便利な方法を提供し、量子技術に期待できる可能性を示している。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 2.28145433491942
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Optically active spin defects in wide-bandgap materials have many potential
applications in quantum information and quantum sensing. Spin defects in
two-dimensional layered van der Waals materials are just emerging to be
investigated. Here we demonstrate that optically-addressable spin ensembles in
hexagonal boron nitride (hBN) can be generated by femtosecond laser
irradiation. We observe optically detected magnetic resonance (ODMR) of hBN
spin defects created by laser irradiation. We show that the creation of spin
defects in hBN is strongly affected by the pulse energy of the femtosecond
laser. When the laser pulse number is less than a few thousand, the pulse
number only affects the density of defects but not the type of defects. With
proper laser parameters, spin defects can be generated with a high probability
of success. Our work provides a convenient way to create spin defects in hBN by
femtosecond laser writing, which shows promising prospects for quantum
technologies.
- Abstract（参考訳）: 広帯域材料における光学活性スピン欠陥は、量子情報や量子センシングに多くの可能性を持つ。
二次元層状ファンデルワールス材料におけるスピン欠陥の研究が進んでいる。
フェムト秒レーザー照射により六方晶窒化ホウ素 (hbn) の光学配置可能なスピンアンサンブルが生成できることを実証する。
レーザー照射により生じるhBNスピン欠陥の光検出磁気共鳴(ODMR)を観察した。
我々はhBNにおけるスピン欠陥の生成がフェムト秒レーザーのパルスエネルギーに強く影響されていることを示す。
レーザーパルス数が数千未満の場合、パルス番号は欠陥の密度にのみ影響するが、欠陥の種類には影響しない。
適切なレーザーパラメータにより、スピン欠陥を高い成功確率で生成することができる。
我々の研究は、フェムト秒レーザーによるhBNのスピン欠陥を生成するための便利な方法を提供し、量子技術の将来性を示す。
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