Fugu-MT 論文翻訳(概要): Radio frequency reflectometry in silicon-based quantum dots

論文の概要: Radio frequency reflectometry in silicon-based quantum dots

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2012.14560v2
Date: Thu, 7 Jan 2021 01:45:51 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-04-18 12:06:05.583985
Title: Radio frequency reflectometry in silicon-based quantum dots
Title（参考訳）: シリコン系量子ドットにおける高周波反射率
Authors: Y.-Y. Liu, S. G. J. Philips, L. A. Orona, N. Samkharadze, T. McJunkin, E. R. MacQuarrie, M. A. Eriksson, L. M. K. Vandersypen, A. Yacoby
Abstract要約: 蓄積モードゲート定義量子ドットにおけるRFリードアウトの実装に着目する。これらの手法はSi/SiGe量子ドットにおける高速な電荷の読み出しを可能にし、測定時間1mu$sに対して99.9%の忠実度を達成することを実証する。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: RF reflectometry offers a fast and sensitive method for charge sensing and spin readout in gated quantum dots. We focus in this work on the implementation of RF readout in accumulation-mode gate-defined quantum dots, where the large parasitic capacitance poses a challenge. We describe and test two methods for mitigating the effect of the parasitic capacitance, one by on-chip modifications and a second by off-chip changes. We demonstrate that these methods enable high-performance charge readout in Si/SiGe quantum dots, achieving a fidelity of 99.9% for a measurement time of 1 $\mu$s.
Abstract（参考訳）: RFリフレクションメトリーは、ゲート量子ドットにおける電荷検知とスピン読み出しのための高速で敏感な方法を提供する。本研究は,大規模な寄生容量が課題となる集積モードゲート定義量子ドットにおけるRFリードアウトの実装に焦点を当てる。本研究は, 寄生容量の影響を緩和する2つの方法, オンチップによる1つ, オフチップによる2つについて述べる。これらの手法によりsi/sige量子ドットにおける高速電荷読み出しが可能となり、測定時間1$\mu$sで99.9%の忠実性が得られる。

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