論文の概要: Temperature-dependent energy-level shifts of Spin Defects in hexagonal
Boron Nitride
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2101.09920v2
- Date: Thu, 23 Sep 2021 11:37:39 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-04-14 00:48:44.513179
- Title: Temperature-dependent energy-level shifts of Spin Defects in hexagonal
Boron Nitride
- Title(参考訳): 六方晶窒化ホウ素におけるスピン欠陥の温度依存性エネルギー準位シフト
- Authors: W. Liu, Z.-P. Li, Y.-Z. Yang, S. Yu, Y. Meng, Z.-C. Li, N.-J. Guo,
F.-F. Yan, Q. Li, J.-F. Wang, J.-S. Xu, Y.-T. Wang, J.-S. Tang, C.-F. Li,
G.-C. Guo
- Abstract要約: 2次元ヘキサゴナル窒化ホウ素 (hBN) は, 集積ナノフォトニクスの実現プラットフォームとして注目されている。
ここでは,5-600Kの範囲における共鳴スペクトルの温度依存性について検討した。
異なるhBNナノパウダーの相違を系統的に研究し、VB欠陥のODMRに対するエッジ効果の証拠を提供する。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Two-dimensional hexagonal boron nitride (hBN) has attracted large attentions
as platforms for realizations for integrated nanophotonics and collective
effort has been focused on the spin defect centers. Here, the temperature
dependence of the resonance spectrum in the range of 5-600 K is investigated.
The zero-field splitting (ZFS) parameter D is found to decrease monotonicly
with increasing temperature and can be described by Varshni empirical equation
perfectly, while E almost does not change. We systematically study the
differences among different hBN nanopowders and provide an evidence of edge
effects on ODMR of VB- defects. Considering the proportional relation between D
and reciprocal of lattice volume, the thermal expansion might be the dominant
reason for energy-level shifts. We also demonstrate that the VB- defects still
exist stably at least at 600 K. Moreover, we propose a scheme for detecting
laser intensity using the VB- defects in hBN nanopowders, which is based on the
obvious dependence of its D value on laser intensity. Our results are helpful
to gain insight into the spin properties of VB- and for the realizations of
miniaturized, integrated thermal sensor.
- Abstract(参考訳): 2次元六方晶窒化ホウ素 (hBN) は, 集積ナノフォトニクスの実現プラットフォームとして注目され, スピン欠陥中心に集中している。
ここでは,5-600Kの範囲における共鳴スペクトルの温度依存性について検討した。
ゼロフィールドスプリッティング(ZFS)パラメータDは温度上昇とともに単調に減少し、ヴァルシュニの経験方程式で完全に説明できるが、Eはほとんど変化しない。
異なるhBNナノ粒子の相違を系統的に研究し,VB欠陥のODMRに対するエッジ効果の証拠を提供する。
d と格子体積の相互関係を考えると、熱膨張はエネルギー準位シフトの主因となるかもしれない。
また, vb-欠陥が少なくとも600k以上安定に存在することを実証し, また, hbnナノ粉末中のvb-欠陥を用いたレーザー強度検出法を提案する。
この結果は、VBのスピン特性の知見を得るのに役立ち、小型集積型熱センサの実現にも役立ちます。
関連論文リスト
- Magnetic field dependence of $V_B^-$ Defects in hexagonal boron nitride [5.426508182505848]
我々は,hBNにおけるV_B-$欠陥のコヒーレンス性に及ぼすオフ軸磁場の影響について検討した。
結果はhBNにおける$V_B-$欠陥の最適化に不可欠であり、堅牢な量子センサとしての重要性を確立している。
論文 参考訳(メタデータ) (2024-10-09T10:40:05Z) - Site-Controlled Purcell-Induced Bright Single Photon Emitters in Hexagonal Boron Nitride [62.170141783047974]
六方晶窒化ホウ素(hBN)でホストされる単一光子エミッタは、室温で動作する量子フォトニクス技術にとって必須の構成要素である。
我々はPurcellにより誘導されるサイト制御SPEのためのプラズモンナノ共振器の大規模アレイを実験的に実証した。
我々の結果は、明るく、均一に統合された量子光源の配列を提供し、堅牢でスケーラブルな量子情報システムへの道を開いた。
論文 参考訳(メタデータ) (2024-05-03T23:02:30Z) - Review on coherent quantum emitters in hexagonal boron nitride [91.3755431537592]
六方晶窒化ホウ素の欠陥中心の現況を光学的コヒーレント欠陥中心に焦点をあてて論じる。
スペクトル遷移線幅は室温でも異常に狭いままである。
この分野は、量子光学、量子フォトニクス、スピン光学などの量子技術への影響で広い視点に置かれている。
論文 参考訳(メタデータ) (2022-01-31T12:49:43Z) - Excited-state spectroscopy of spin defects in hexagonal boron nitride [20.739656944743345]
六方晶窒化ホウ素(hBN)の室温における負電荷のホウ素空孔欠陥の励起状態における電子スピン共鳴遷移を調べた。
その結果、励起状態は0フィールド分割が2.1GHzであり、基底状態に類似したg因子と、90MHzと18.8MHzの2種類の超微細分割が存在することがわかった。
光ルミネッセンスとODMRコントラストの負のピークを磁場の大きさと反交差角度の関数として観測し、コヒーレントスピン沈降と異方性緩和によって説明した。
論文 参考訳(メタデータ) (2021-12-06T10:28:57Z) - Coupling spin defects in hexagonal boron nitride to monolithic bullseye
cavities [0.9865297101789609]
我々は,最近発見されたhBNのスピン欠陥を,ブルジーキャビティに効率よく結合させることを実証した。
以上の結果から, すべてのモノリシックhBN空洞系は, 結合したホウ素空洞スピン欠陥の放出において, 等級の増大を示すことが明らかとなった。
論文 参考訳(メタデータ) (2021-05-26T03:56:02Z) - Phonon dephasing and spectral diffusion of quantum emitters in hexagonal
Boron Nitride [52.915502553459724]
六方晶窒化ホウ素(hBN)の量子放出体は、量子光学への応用のために、明るく頑健な単一光子の源として出現している。
低温における共鳴励起分光法によるhBN中の量子エミッタのフォノン脱落とスペクトル拡散について検討した。
論文 参考訳(メタデータ) (2021-05-25T05:56:18Z) - Tuning the mode-splitting of a semiconductor microcavity with uniaxial
stress [49.212762955720706]
この研究では、n-i-pヘテロ構造を組み込んだ「ボットム」半導体分散ブラッグリフレクタ(DBR)からなるオープンマイクロキャビティを用いる。
半導体DBRに一軸応力を印加することでモード分割を調整できる可逆的インサイト手法を実証する。
モード分割とストップバンド間のチューニングに関する徹底的な研究は、結果の背後にあるメカニズムを定量的に理解する。
論文 参考訳(メタデータ) (2021-02-18T13:38:32Z) - Mechanical Decoupling of Quantum Emitters in Hexagonal Boron Nitride
from Low-Energy Phonon Modes [52.77024349608834]
六方晶窒化ホウ素 (hBN) の量子放出体は, 最近, 室温のフーリエ変態限界に従って均一な直線幅を持つことが報告された。
この異常な観測は、hBNホスト物質の2つの平面の間にエミッターが配置されている場合に発生する、面内フォノンモードからの分離に遡る。
論文 参考訳(メタデータ) (2020-04-22T20:00:49Z) - Effect of phonons on the electron spin resonance absorption spectrum [62.997667081978825]
磁気活性系の電子スピン共鳴(ESR)信号に対するフォノンと温度の影響をモデル化する。
ESR信号の抑制はフォノンの膨張によるものであるが、軌道クエンチングの一般的な仮定に基づくものではない。
論文 参考訳(メタデータ) (2020-04-22T01:13:07Z)
関連論文リストは本サイト内にある論文のタイトル・アブストラクトから自動的に作成しています。
指定された論文の情報です。
本サイトの運営者は本サイト(すべての情報・翻訳含む)の品質を保証せず、本サイト(すべての情報・翻訳含む)を使用して発生したあらゆる結果について一切の責任を負いません。