論文の概要: Tuning the mode-splitting of a semiconductor microcavity with uniaxial stress

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2102.09327v1
• Date: Thu, 18 Feb 2021 13:38:32 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-04-10 20:10:13.815866
• Title: Tuning the mode-splitting of a semiconductor microcavity with uniaxial stress
• Title（参考訳）: 半導体マイクロキャビティの一軸応力によるモードスプリッティングのチューニング
• Authors: Natasha Tomm and Alexander R. Korsch and Alisa Javadi and Daniel Najer and R\"udiger Schott and Sascha R. Valentin and Andreas D. Wieck and Arne Ludwig and Richard J. Warburton
• Abstract要約: この研究では、n-i-pヘテロ構造を組み込んだ「ボットム」半導体分散ブラッグリフレクタ(DBR)からなるオープンマイクロキャビティを用いる。 半導体DBRに一軸応力を印加することでモード分割を調整できる可逆的インサイト手法を実証する。 モード分割とストップバンド間のチューニングに関する徹底的な研究は、結果の背後にあるメカニズムを定量的に理解する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 49.212762955720706
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: A splitting of the fundamental optical modes in micro/nano-cavities comprising semiconductor heterostructures is commonly observed. Given that this splitting plays an important role for the light-matter interaction and hence quantum technology applications, a method for controlling the mode-splitting is important. In this work we use an open microcavity composed of a "bottom" semiconductor distributed Bragg reflector (DBR) incorporating an n-i-p heterostructure, paired with a "top" curved dielectric DBR. We measure the mode-splitting as a function of wavelength across the stopband. We demonstrate a reversible in-situ technique to tune the mode-splitting by applying uniaxial stress to the semiconductor DBR. The method exploits the photoelastic effect of the semiconductor materials. We achieve a maximum tuning of $\sim$11 GHz. The stress applied to the heterostructure is determined by observing the photoluminescence of quantum dots embedded in the sample, converting a spectral shift to a stress via deformation potentials. A thorough study of the mode-splitting and its tuning across the stop-band leads to a quantitative understanding of the mechanism behind the results.
• Abstract（参考訳）: 半導体ヘテロ構造からなるマイクロ/ナノキャビティにおける基本光学モードの分割が一般的である。 この分割が光-物質相互作用や量子技術応用において重要な役割を担っていることを考えると、モード分割を制御する方法が重要である。 本研究では、n-i-pヘテロ構造を組み込んだ「ボットム」半導体分散ブラッグリフレクタ(DBR)と「トップ」曲線誘電体DBRを組み合わせたオープンマイクロキャビティを用いる。 モード分割をストップバンド全体の波長関数として測定する。 半導体dbrに一軸応力を印加してモードスプリッティングをチューニングする可逆的インステント法を示す。 この方法は半導体材料の光弾性効果を利用する。 最大チューニングは$\sim$11 GHzである。 ヘテロ構造に作用する応力は、試料に埋め込まれた量子ドットのフォトルミネッセンスを観察し、スペクトルシフトを変形電位によって応力に変換することで決定される。 モード分割とストップバンド間のチューニングに関する徹底的な研究は、結果の背後にあるメカニズムを定量的に理解する。

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