論文の概要: A flexible 300 mm integrated Si MOS platform for electron- and hole-spin
qubits exploration
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2102.03929v1
- Date: Sun, 7 Feb 2021 21:56:59 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-04-12 07:19:39.810191
- Title: A flexible 300 mm integrated Si MOS platform for electron- and hole-spin
qubits exploration
- Title（参考訳）: フレキシブル300mm集積Si MOSプラットフォームによる電子・スピン量子ビット探査
- Authors: R. Li, N. I. Dumoulin Stuyck, S. Kubicek, J. Jussot, B. T. Chan, F. A.
Mohiyaddin, A. Elsayed, M. Shehata, G. Simion, C. Godfrin, Y. Canvel, Ts.
Ivanov, L. Goux, B. Govoreanu, and I. P. Radu
- Abstract要約: 光線リソグラフィーと電子線リソグラフィーを最適に組み合わせてシリコンスピン量子ビットを作製するフレキシブル300mmプロセスについて報告する。
様々なn型およびp型キュービットは10mKの希釈冷凍機で特徴づけられる。
電気的測定は、明確に定義された量子ドット、チューニング可能なトンネル結合、コヒーレントスピン制御を示す。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: We report on a flexible 300 mm process that optimally combines optical and
electron beam lithography to fabricate silicon spin qubits. It enables
on-the-fly layout design modifications while allowing devices with either n- or
p-type ohmic implants, a pitch smaller than 100 nm, and uniform critical
dimensions down to 30 nm with a standard deviation ~ 1.6 nm. Various n- and
p-type qubits are characterized in a dilution refrigerator at temperatures ~ 10
mK. Electrical measurements demonstrate well-defined quantum dots, tunable
tunnel couplings, and coherent spin control, which are essential requirements
for the implementation of a large-scale quantum processor.
- Abstract（参考訳）: シリコンスピン量子ビットを作製するために,光・電子ビームリソグラフィを最適に組み合わせたフレキシブル300mmプロセスについて報告する。
オンザフライのレイアウト変更が可能で、n型またはp型ohmicインプラント、100nm以下のピッチ、標準偏差1.6nmの30nmまでの均一な臨界寸法を持つデバイスが利用可能である。
様々なn型およびp型キュービットは10mK程度で希釈冷凍機として特徴付けられる。
電気的測定により、量子ドット、可変トンネル結合、コヒーレントスピン制御が示され、これは大規模量子プロセッサの実装に不可欠な要件である。
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