論文の概要: Erbium emitters in commercially fabricated nanophotonic silicon waveguides

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2307.14017v1
• Date: Wed, 26 Jul 2023 07:58:05 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-07-27 13:08:58.594194
• Title: Erbium emitters in commercially fabricated nanophotonic silicon waveguides
• Title（参考訳）: 市販ナノフォトニックシリコン導波路におけるエルビウム放出体
• Authors: Stephan Rinner, Florian Burger, Andreas Gritsch, Jonas Schmitt, Andreas Reiserer
• Abstract要約: エルビウムドーパツを市販低損失導波路に確実に組み込むことができることを示す。 我々の発見は、ウェーハスケールで製造できる長寿命量子記憶への重要なステップである。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Quantum memories integrated into nanophotonic silicon devices are a promising platform for large quantum networks and scalable photonic quantum computers. In this context, erbium dopants are particularly attractive, as they combine optical transitions in the telecommunications frequency band with the potential for second-long coherence time. Here we show that these emitters can be reliably integrated into commercially fabricated low-loss waveguides. We investigate several integration procedures and obtain ensembles of many emitters with an inhomogeneous broadening of < 2 GHz and a homogeneous linewidth of < 30 kHz. We further observe the splitting of the electronic spin states in a magnetic field up to 9 T that freezes paramagnetic impurities. Our findings are an important step towards long-lived quantum memories that can be fabricated on a wafer-scale using CMOS technology.
• Abstract（参考訳）: ナノフォトニックシリコンデバイスに統合された量子メモリは、大規模量子ネットワークとスケーラブルフォトニック量子コンピュータのための有望なプラットフォームである。 この文脈では、エルビウムドーパタンは電気通信周波数帯の光遷移と第2長いコヒーレンス時間のポテンシャルを組み合わせるため、特に魅力的である。 ここでは、これらのエミッタを商業的に製造された低損失導波路に確実に統合できることを示す。 我々は、複数の積分手順を調査し、2GHz以下の均一幅と30kHz以下の均一な直線幅を持つ多くのエミッタのアンサンブルを得る。 さらに、常磁性不純物を凍結する9Tまでの磁場中での電子スピン状態の分裂を観察する。 我々の発見は、CMOS技術を用いてウェーハスケールで製造できる長寿命量子メモリへの重要な一歩である。

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