論文の概要: Electroabsorption in gated GaAs nanophotonic waveguides

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2102.06119v1
• Date: Thu, 11 Feb 2021 16:59:00 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-04-11 12:01:53.544081
• Title: Electroabsorption in gated GaAs nanophotonic waveguides
• Title（参考訳）: ゲートGaAsナノフォトニック導波路の電気吸収
• Authors: Ying Wang, Ravitej Uppu, Xiaoyan Zhou, Camille Papon, Sven Scholz, Andreas D. Wieck, Arne Ludwig, Peter Lodahl, Leonardo Midolo
• Abstract要約: 我々は、薄いGaAs/Al$_0.3$Ga$_0.7$Asナノフォトニック導波路の電気吸収の解析を、埋め込み$p$-$i$-$n$接合で行う。 異なる長さの導波路による伝送を測定することにより、電場、波長、温度の関数として伝搬損失を導出する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 2.8863738687110403
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: We report on the analysis of electroabsorption in thin GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As nanophotonic waveguides with an embedded $p$-$i$-$n$ junction. By measuring the transmission through waveguides of different lengths, we derive the propagation loss as a function of electric field, wavelength, and temperature. The results are in good agreement with the Franz-Keldysh model of electroabsorption extending over 200 meV below the GaAs bandgap, i.e. in the 910--970 nm wavelength range. We find a pronounced residual absorption in forward bias, which we attribute to Fermi-level pinning at the waveguide surface, producing over 20 dB/mm loss at room temperature. These results are essential for understanding the origin of loss in nanophotonic devices operating in the emission range of self-assembled InAs semiconductor quantum dots, towards the realization of scalable quantum photonic integrated circuits.
• Abstract（参考訳）: 極薄GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$Asナノフォトニック導波路の電気吸収の解析について報告する。 異なる長さの導波路による伝送を計測することにより、電界、波長、温度の関数として伝搬損失を導出する。 この結果は、gaasバンドギャップの200mev以下、すなわち910--970nmの波長範囲に広がるフランツ・ケルディッシュの電気吸収モデルとよく一致している。 その結果,導波路表面のフェルミレベルピンニングにより,室温で20db/mm以上の損失が生じた。 これらの結果は、スケーラブルな量子フォトニック集積回路の実現に向けて、自己組立InAs半導体量子ドットの放出範囲で動作するナノフォトニックデバイスにおける損失の起源を理解するために不可欠である。

関連論文リスト

• Tunable photon scattering by an atom dimer coupled to a band edge of a photonic crystal waveguide [0.0]
  フォトニック結晶の導波路の近くに閉じ込められた量子エミッタは、新しい量子物質-光インターフェースを実現するためのエキサイティングなプラットフォームとして登場した。 任意の空間分離を伴う原子二量体に結合したフォトニック結晶導波路における波長可変光子散乱について検討した。
  論文  参考訳（メタデータ） (2024-09-30T13:57:58Z)
• Site-Controlled Purcell-Induced Bright Single Photon Emitters in Hexagonal Boron Nitride [62.170141783047974]
  六方晶窒化ホウ素(hBN)でホストされる単一光子エミッタは、室温で動作する量子フォトニクス技術にとって必須の構成要素である。 我々はPurcellにより誘導されるサイト制御SPEのためのプラズモンナノ共振器の大規模アレイを実験的に実証した。 我々の結果は、明るく、均一に統合された量子光源の配列を提供し、堅牢でスケーラブルな量子情報システムへの道を開いた。
  論文  参考訳（メタデータ） (2024-05-03T23:02:30Z)
• Precise characterization of a silicon carbide waveguide fiber interface [0.0]
  4H-SiCのような高屈折率材料中のエミッタは、内部反射による損失により光子の検出が減少する。 我々は4H-SiCにおける導波路集積V2欠陥に基づく明るい単一光子源を作成し、総光子数1秒あたり181キロ秒を達成する。
  論文  参考訳（メタデータ） (2024-01-11T18:20:18Z)
• Silicon nitride waveguides with intrinsic single-photon emitters for integrated quantum photonics [97.5153823429076]
  我々は、SiN中の固有の単一光子放射体から、同じ物質からなるモノリシック集積導波路への光子の最初のカップリングに成功したことを示す。 その結果、スケーラブルでテクノロジー対応の量子フォトニック集積回路の実現に向けた道を開いた。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-05-17T16:51:29Z)
• Single quantum emitters with spin ground states based on Cl bound excitons in ZnSe [55.41644538483948]
  InSeにおけるCl不純物に基づく電子スピン量子ビットを持つ新しいタイプの単一光子エミッタを示す。 その結果, 単一Cl不純物はフォトニック界面を有する単一光子源として好適であることが示唆された。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-03-11T04:29:21Z)
• Deterministic coupling of a quantum emitter to surface plasmon polaritons, Purcell enhanced generation of indistinguishable single photons and quantum information processing [0.0]
  集積フォトニック回路は、全光学およびオンチップ量子情報処理および量子コンピュータの不可欠な部分である。 プラズモン導波路への単一光子源の結合効率について報告する。 プラズモン回路とマッハ・ツェンダー干渉計を用いたスケーラブルな金属-誘電体-金属導波路系量子論理回路を提案する。
  論文  参考訳（メタデータ） (2021-08-25T16:39:19Z)
• Waveguide quantum electrodynamics: collective radiance and photon-photon correlations [151.77380156599398]
  量子電磁力学は、導波路で伝播する光子と局在量子エミッタとの相互作用を扱う。 我々は、誘導光子と順序配列に焦点をあて、超放射および準放射状態、束縛光子状態、および有望な量子情報アプリケーションとの量子相関をもたらす。
  論文  参考訳（メタデータ） (2021-03-11T17:49:52Z)
• Integrated optical addressing of a trapped ytterbium ion [0.0]
  マイクロファブリック表面イオントラップは量子情報プラットフォームとして注目されている。 導波路を集積したマイクロファブリケート表面イオントラップにおける加熱速度と光誘起電荷のキャラクタリゼーションについて報告する。
  論文  参考訳（メタデータ） (2020-11-24T20:49:46Z)
• Understanding photoluminescence in semiconductor Bragg-reflection waveguides: Towards an integrated, GHz-rate telecom photon pair source [47.399953444625154]
  光子対の半導体集積源は、材料のバンドギャップに非常に近いポンプ波長で作用する。 Sバンドの長波長端付近または短波長Cバンド付近で動作させるデバイスは1 ns未満の時間フィルタリングを必要とすることを示す。 我々は, 動作波長をLバンドにシフトさせ, 材料組成の調整を小さくすることで, 光発光量を無視可能な値に低減できると予測した。
  論文  参考訳（メタデータ） (2020-10-12T06:27:30Z)
• Quantum Borrmann effect for dissipation-immune photon-photon correlations [137.6408511310322]
  理論的には、2階相関関数 $g(2)(t)$ は周期的ブラッグ空間の超伝導量子ビット配列を通して伝達される光子に対して導波路に結合する。 我々は、光子束と反バンチングが、単一量子ビットの放射寿命と非放射寿命よりもずっと長く持続することを実証した。
  論文  参考訳（メタデータ） (2020-09-29T14:37:04Z)
• Integrating two-photon nonlinear spectroscopy of rubidium atoms with silicon photonics [0.0]
  集積シリコンフォトニックチップ。いくつかのサブ波長のリッジ導波路で構成され、ルビジウム蒸気のマイクロセルに浸漬される。 発光モードがルビジウム原子に結合すると導波路透過スペクトルが変化することが観察された。 この研究は、CMOS技術と互換性のある小型で低消費電力で統合されたハイブリッド原子フォトニクスシステムへの道を開いた。
  論文  参考訳（メタデータ） (2020-03-10T14:13:42Z)

関連論文リストは本サイト内にある論文のタイトル・アブストラクトから自動的に作成しています。

指定された論文の情報です。
本サイトの運営者は本サイト（すべての情報・翻訳含む）の品質を保証せず、本サイト（すべての情報・翻訳含む）を使用して発生したあらゆる結果について一切の責任を負いません。