論文の概要: Integrated optical addressing of a trapped ytterbium ion
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2011.12376v2
- Date: Tue, 27 Apr 2021 20:49:51 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2023-04-23 06:20:24.149878
- Title: Integrated optical addressing of a trapped ytterbium ion
- Title(参考訳): 閉じ込められたイッテルビウムイオンの集積光アドレッシング
- Authors: M. Ivory, W. J. Setzer, N. Karl, H. McGuinness, C. DeRose, M. Blain,
D. Stick, M. Gehl, L. P. Parazzoli (Sandia National Laboratories,
Albuquerque, New Mexico, USA)
- Abstract要約: マイクロファブリック表面イオントラップは量子情報プラットフォームとして注目されている。
導波路を集積したマイクロファブリケート表面イオントラップにおける加熱速度と光誘起電荷のキャラクタリゼーションについて報告する。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: We report on the characterization of heating rates and photo-induced electric
charging on a microfabricated surface ion trap with integrated waveguides.
Microfabricated surface ion traps have received considerable attention as a
quantum information platform due to their scalability and manufacturability.
Here we characterize the delivery of 435 nm light through waveguides and
diffractive couplers to a single ytterbium ion in a compact trap. We measure an
axial heating rate at room temperature of $0.78\pm0.05$ q/ms and see no
increase due to the presence of the waveguide. Furthermore, the electric field
due to charging of the exposed dielectric outcoupler settles under normal
operation after an initial shift. The frequency instability after settling is
measured to be 0.9 kHz.
- Abstract(参考訳): 導波路を集積したマイクロファブリケート表面イオントラップにおける加熱速度と光誘起電荷のキャラクタリゼーションについて報告する。
マイクロファブリック表面イオントラップは、スケーラビリティと製造性から量子情報プラットフォームとして注目されている。
ここでは、導波路と回折カプラを介して435nmの光を単一のイッテルビウムイオンに小さなトラップで供給する。
室温0.78\pm0.05$ q/msの軸方向加熱速度を測定し、導波路の存在により上昇しない。
さらに、露光された誘電体アウトカプラの充電による電界は、初期シフト後の通常動作下で沈降する。
沈降後の周波数不安定度は0.9kHzである。
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