論文の概要: Identification of silicon vacancy-related electron paramagnetic
resonance centers in 4H SiC
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2104.04292v1
- Date: Fri, 9 Apr 2021 10:40:21 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-04-04 07:52:49.461198
- Title: Identification of silicon vacancy-related electron paramagnetic
resonance centers in 4H SiC
- Title（参考訳）: 4HSiCにおけるシリコン空孔関連電子常磁性共鳴中心の同定
- Authors: A. Cs\'or\'e, N. T. Son, A. Gali
- Abstract要約: 炭化ケイ素(SiC)の負電荷シリコン空孔[V$_textSi(-)$]は、常磁性で光学活性な欠陥である。
電子スピン共鳴信号は、V$_textSi(-)$欠陥に関連する信号以外に観測されている。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: The negatively charged silicon vacancy [V$_\text{Si}(-)$] in silicon carbide
(SiC) is a paramagnetic and optically active defect in hexagonal SiC.
V$_\text{Si}(-)$ defect possesses $S = 3/2$ spin with long spin coherence time
and can be optically manipulated even at room temperature. Recently, electron
spin resonance signals have been observed besides the signals associated with
the V$_\text{Si}(-)$ defects in the 4H polytype of SiC. The corresponding
centers share akin properties to those of the V$_\text{Si}(-)$ defects and thus
they may be promising candidates for quantum technology applications. However,
the exact origin of the new signals is unknown. In this paper we report
V$_\text{Si}(-)$-related pair defect models as possible candidates for the
unknown centers. We determine the corresponding electronic structures and
magneto-optical properties as obtained by density functional theory (DFT)
calculations. We propose models for the recently observed electron paramagnetic
resonance centers with predicting their optical signals for identification in
future experiments.
- Abstract（参考訳）: 炭化ケイ素(SiC)の負電荷シリコン空孔[V$_\text{Si}(-)$]は、六方晶SiCの常磁性および光学活性欠陥である。
V$_\text{Si}(-)$ 欠陥は長いスピンコヒーレンス時間を持つ$S = 3/2$ スピンを持ち、室温でも光学的に操作できる。
近年、SiCの4H多型におけるV$_\text{Si}(-)$欠陥に関連する信号以外に電子スピン共鳴信号が観測されている。
対応するセンターは v$_\text{si}(-)$ の欠陥と類似の性質を共有しており、量子技術応用の候補となる可能性がある。
しかし、新しい信号の正確な起源は不明である。
本稿では,未知中心の候補として v$_\text{si}(-)$-related pair defect model を報告する。
密度汎関数理論(DFT)計算により,対応する電子構造と磁気光学特性を導出する。
近年観測された電子常磁性共鳴中心のモデルを提案し、今後の実験でその光信号の同定を行う。
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