論文の概要: Identification of a telecom wavelength single photon emitter in silicon
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2106.13578v2
- Date: Wed, 6 Oct 2021 20:46:40 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-03-25 13:57:22.877451
- Title: Identification of a telecom wavelength single photon emitter in silicon
- Title(参考訳): シリコン中の通信波長単一光子エミッタの同定
- Authors: P\'eter Udvarhelyi, B\'alint Somogyi, Gerg\H{o} Thiering, and Adam
Gali
- Abstract要約: シリコン中のG光発光中心の微細構造を第一原理計算により同定する。
観測された光学信号の微細構造は、欠陥の熱的回転再配向に由来する。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: We identify the exact microscopic structure of the G photoluminescence center
in silicon by first principles calculations with including a self-consistent
many-body perturbation method, which is a telecommunication wavelength single
photon source. The defect constitutes of $\text{C}_\text{s}\text{C}_\text{i}$
carbon impurities in its
$\text{C}_\text{s}-\text{Si}_\text{i}-\text{C}_\text{s}$ configuration in the
neutral charge state, where $s$ and $i$ stand for the respective substitutional
and interstitial positions in the Si lattice. We reveal that the observed fine
structure of its optical signals originates from the athermal rotational
reorientation of the defect. We attribute the monoclinic symmetry reported in
optically detected magnetic resonance measurements to the reduced tunneling
rate at very low temperatures. We discuss the thermally activated motional
averaging of the defect properties and the nature of the qubit state.
- Abstract(参考訳): 本稿では,シリコン中のG光発光中心の微細構造を,光通信波長単一光子源である自己持続多体摂動法を含む第一原理計算により同定する。
この欠陥は、$\text{c}_\text{c}_\text{c}_\text{i}$ carbon不純物が$\text{c}_\text{s}-\text{si}_\text{i}-\text{c}_\text{s}$ の中性チャージ状態における構成である。
観測された光学信号の微細構造は、欠陥の非熱的回転再配向に由来することが判明した。
光学的に検出された磁気共鳴測定で報告される単斜晶対称性を極低温でのトンネル速度の低減に分類した。
熱的に活性化される運動量平均化の欠陥特性と量子状態の性質について論じる。
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