論文の概要: Intense optical parametric amplification in dispersion engineered
nanophotonic lithium niobate waveguides
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2104.08262v3
- Date: Tue, 15 Mar 2022 16:33:39 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-04-03 10:46:32.884408
- Title: Intense optical parametric amplification in dispersion engineered
nanophotonic lithium niobate waveguides
- Title(参考訳): 分散法によるナノフォトニックリチウムニオブ酸リチウム導波路の高強度パラメトリック増幅
- Authors: Luis Ledezma, Ryoto Sekine, Qiushi Guo, Rajveer Nehra, Saman Jahani
and Alireza Marandi
- Abstract要約: ナノフォトニックリチウムニオブ酸リチウム導波路における準位相マッチングと分散工学を組み合わせた。
2.5mm長波長導波路で45dB/cm以上のブロードバンド位相依存性のオンチップ増幅を測定する。
我々の結果は、オンチップ数サイクル非線形光学、中赤外フォトニクス、量子フォトニクスの新たな可能性を開く。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Strong amplification in integrated photonics is one of the most desired
optical functionalities for computing, communications, sensing, and quantum
information processing. Semiconductor gain and cubic nonlinearities, such as
four-wave mixing and stimulated Raman and Brillouin scattering, have been among
the most studied amplification mechanisms on chip. Alternatively, material
platforms with strong quadratic nonlinearities promise numerous advantages with
respect to gain and bandwidth, among which nanophotonic lithium niobate is one
of the most promising candidates. Here, we combine quasi-phase matching with
dispersion engineering in nanophotonic lithium niobate waveguides and achieve
intense optical parametric amplification. We measure a broadband
phase-sensitive on-chip amplification larger than 45 dB/cm in a 2.5-mm-long
waveguide. We further confirm high gain operation in the degenerate and
non-degenerate regimes by amplifying vacuum fluctuations to macroscopic levels
in a 6-mm-long waveguide, with on-chip gains exceeding 100 dB/cm over 600 nm of
bandwidth around 2 $\mu$m. Our results unlock new possibilities for on-chip
few-cycle nonlinear optics, mid-infrared photonics, and quantum photonics.
- Abstract(参考訳): 集積フォトニクスの強い増幅は、計算、通信、センシング、量子情報処理において最も望まれる光学機能の一つである。
半導体利得と4波混合や刺激ラマン散乱、ブリルアン散乱のような立方非線形性は、チップ上で最も研究されている増幅機構の1つである。
あるいは、強い二次非線形性を持つ材料プラットフォームは、ゲインとバンド幅に関して多くの利点を約束し、その中ではナノフォトニックリチウムニオブ酸リチウムが最も有望な候補の1つである。
そこで我々は,ナノフォトニックリチウムニオブ酸リチウム導波路における準位相マッチングと分散工学を組み合わせることで,光パラメトリック増幅を実現する。
2.5mm長波長導波路で45dB/cm以上のブロードバンド位相依存性のオンチップ増幅を測定する。
さらに6ミリ波導波路における真空揺らぎを増幅し,600nm以上の帯域幅で100dB/cm以上のオンチップゲインを有する縮退型及び非縮退型状態の高利得動作を確認した。
我々の結果は、オンチップ数サイクル非線形光学、中赤外フォトニクス、量子フォトニクスの新たな可能性を開く。
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