論文の概要: Tunable Feshbach resonances and their spectral signatures in bilayer semiconductors

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2105.01080v1
• Date: Mon, 3 May 2021 18:00:02 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-04-01 17:38:51.439938
• Title: Tunable Feshbach resonances and their spectral signatures in bilayer semiconductors
• Title（参考訳）: 二層半導体における可変フェシュバッハ共鳴とそのスペクトルシグネチャ
• Authors: Clemens Kuhlenkamp, Michael Knap, Marcel Wagner, Richard Schmidt, Atac Imamoglu
• Abstract要約: 2次元半導体ヘテロ構造におけるフェシュバッハ共鳴の固体アナログを理論的に解析する。 層間電子トンネルの存在下では、異なる層を占有する励起子と電子の散乱は、印加電界をチューニングすることによって共鳴的に増強することができる。 層間フェシュバッハ分子の出現は光励起スペクトルを変化させ、フェルミ・ポーラロンの形成の観点から理解することができる。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Feshbach resonances are an invaluable tool in atomic physics, enabling precise control of interactions and the preparation of complex quantum phases of matter. Here, we theoretically analyze a solid-state analogue of a Feshbach resonance in two dimensional semiconductor heterostructures. In the presence of inter-layer electron tunneling, the scattering of excitons and electrons occupying different layers can be resonantly enhanced by tuning an applied electric field. The emergence of an inter-layer Feshbach molecule modifies the optical excitation spectrum, and can be understood in terms of Fermi polaron formation. We discuss potential implications for the realization of correlated Bose-Fermi mixtures in bilayer semiconductors.
• Abstract（参考訳）: フェシュバッハ共鳴は原子物理学において重要な道具であり、相互作用の正確な制御と複雑な量子相の合成を可能にする。 ここでは2次元半導体ヘテロ構造におけるフェシバッハ共鳴の固体アナログを理論的に解析する。 層間電子トンネルの存在下では、異なる層を占有する励起子と電子の散乱は、印加電界をチューニングすることによって共鳴的に増強することができる。 層間フェシュバッハ分子の出現は光励起スペクトルを変化させ、フェルミ・ポーラロンの形成の観点から理解することができる。 2層半導体における相関Bose-Fermi混合物の実現の可能性について論じる。

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