Fugu-MT 論文翻訳(概要): Charge-noise resilience of two-electron quantum dots in Si/SiGe heterostructures

論文の概要: Charge-noise resilience of two-electron quantum dots in Si/SiGe heterostructures

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2105.10643v2
Date: Tue, 25 May 2021 17:14:53 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-03-30 03:14:03.340554
Title: Charge-noise resilience of two-electron quantum dots in Si/SiGe heterostructures
Title（参考訳）: Si/SiGeヘテロ構造における2電子量子ドットの電荷-ノイズレジリエンス
Authors: H. Ekmel Ercan, Mark Friesen, S. N. Coppersmith
Abstract要約: 谷で励起された三重奏曲だけが、突発音に対する本質的な保護を提供することを示す。これらの結果はシリコンベースの多電子量子ビットに固有の利点を示す。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: The valley degree of freedom presents challenges and opportunities for silicon spin qubits. An important consideration for singlet-triplet states is the presence of two distinct triplets, comprised of valley vs. orbital excitations. Here we show that both of these triplets are present in the typical operating regime, but that only the valley-excited triplet offers intrinsic protection against charge noise. We further show that this protection arises naturally in dots with stronger confinement. These results reveal an inherent advantage for silicon-based multi-electron qubits.
Abstract（参考訳）: バレー自由度はシリコンスピン量子ビットの課題と機会を提供する。一重項三重項状態に対する重要な考慮は、谷対軌道励起からなる2つの異なる三重項の存在である。ここでは,2つの三重項が典型的手術系に存在することを示すが,三重項のみが突発音に対する本質的な保護を提供する。さらに、この保護は、より強い閉じ込めのある点において自然に発生することを示す。これらの結果はシリコンベースの多電子量子ビットに固有の利点を示す。

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