論文の概要: Electronic transport in two-dimensional strained Dirac materials under multi-step Fermi velocity barrier: transfer matrix method for supersymmetric systems

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2106.10902v4
• Date: Fri, 15 Oct 2021 13:39:57 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-03-25 23:23:17.425956
• Title: Electronic transport in two-dimensional strained Dirac materials under multi-step Fermi velocity barrier: transfer matrix method for supersymmetric systems
• Title（参考訳）: 多段フェルミ速度障壁下での二次元歪ディラック材料の電子輸送:超対称系に対する移動行列法
• Authors: Anh-Luan Phan and Dai-Nam Le
• Abstract要約: 二次元ディラック材料の電子輸送を多段変形とフェルミ速度障壁の影響下で検討した。 その結果、ディラック電子のクライントンネルをひずみまたは電場を用いて変調する可能性が示された。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: In recent years, graphene and other two-dimensional Dirac materials like silicene, germanene, etc. have been studied from different points of view: from mathematical physics, condensed matter physics to high energy physics. In this study, we utilize both supersymmetric quantum mechanics (SUSY-QM) and transfer matrix method (TTM) to examine electronic transport in two-dimensional Dirac materials under the influences of multi-step deformation as well as multi-step Fermi velocity barrier. The effects of multi-step effective mass and multi-step applied fields are also taken into account in our investigation. Results show the possibility of modulating the Klein tunneling of Dirac electron by using strain or electric field.
• Abstract（参考訳）: 近年では、グラフェンやシリセン、ゲルマンなどの2次元ディラック材料は、数学物理学、凝縮物質物理学、高エネルギー物理学など、様々な観点から研究されている。 本研究では,超対称量子力学(susy-qm)とトランスファーマトリクス法(ttm)を併用し,多段変形および多段フェルミ速度障壁の影響下での二次元ディラック材料の電子輸送について検討した。 また,多段階有効質量と多段階適用場の影響についても考察した。 その結果、ディラック電子のクライントンネルをひずみまたは電場を用いて変調する可能性が示された。

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