論文の概要: Voltage-controlled Hubbard spin transistor
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2106.12757v2
- Date: Thu, 2 Dec 2021 03:26:54 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-03-25 16:24:15.704461
- Title: Voltage-controlled Hubbard spin transistor
- Title（参考訳）: 電圧制御ハバードスピントランジスタ
- Authors: Rozhin Yousefjani, Sougato Bose, Abolfazl Bayat
- Abstract要約: 本稿では,ハバードモデルにおけるイテナント電子を用いた電圧ゲートスピントランジスタを提案する。
古典的なスピントロニクスを超えて、遠方のスピン量子ビット間の量子情報のフローを制御することができる。
このシステムはいくつかの欠陥に対して優れたレジリエンスを示し、量子ドットアレイの実用的応用を開拓する。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Transistors are key elements for enabling computational hardware in both
classical and quantum domains. Here, we propose a voltage-gated spin transistor
using itinerant electrons in the Hubbard model which acts at the level of
single electron spins. Going beyond classical spintronics, it enables the
controlling of the flow of quantum information between distant spin qubits. The
transistor has two modes of operation, open and closed, which are realized by
two different charge configurations in the gate of the transistor. In the
closed mode, the spin information between source and drain is blocked while in
the open mode we have free spin information exchange. The switching between the
modes takes place within a fraction of the operation time which allows for
several subsequent operations within the coherence time of the transistor. The
system shows good resilience against several imperfections and opens up a
practical application for quantum dot arrays.
- Abstract（参考訳）: トランジスタは古典的領域と量子的領域の両方で計算ハードウェアを実現するための鍵となる要素である。
本稿では、単一電子スピンのレベルに作用するハバードモデルにおいて、イテナント電子を用いた電圧制御スピントランジスタを提案する。
古典的なスピントロニクスを超えて、遠くのスピンキュービット間の量子情報の流れを制御することができる。
トランジスタは、オープンとクローズという2つの動作モードを持ち、トランジスタのゲートの2つの異なる電荷配置によって実現される。
クローズドモードでは、ソースとドレインの間のスピン情報がブロックされ、オープンモードでは自由スピン情報交換が行われる。
モード間のスイッチングは、トランジスタのコヒーレンス時間内に続くいくつかの操作を可能にする操作時間のほんの一部で実行される。
このシステムはいくつかの欠陥に対して優れたレジリエンスを示し、量子ドットアレイの実用的応用を開拓する。
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