論文の概要: Datta-Das transistor for atomtronic circuits using artificial gauge fields

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2203.13360v2
• Date: Wed, 28 Sep 2022 10:54:27 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-02-21 12:25:32.049022
• Title: Datta-Das transistor for atomtronic circuits using artificial gauge fields
• Title（参考訳）: 人工ゲージ場を用いた原子回路用ダッタダストランジスタ
• Authors: Chetan Sriram Madasu, Mehedi Hasan, Ketan D. Rathod, Chang Chi Kwong and David Wilkowski
• Abstract要約: スピンキャリアとしてストロンチウム原子の退化フェルミガスを用いたダッタダストランジスタの等価性を示す。 我々の発見は、動作中のスピン感応回路を実装するための原子線装置のスペクトルを広くする。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.8662179223772086
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Spin-dependent electrical injection has found useful applications in storage devices, but fully operational spin-dependent semiconductor electronics remain a challenging task because of weak spin-orbit couplings and/or strong spin relaxations. These limitations are lifted considering atoms instead of electrons or holes as spin carriers. In this emerging field of atomtronics, we demonstrate the equivalent of a Datta-Das transistor using a degenerate Fermi gas of strontium atoms as spin carriers in interaction with a tripod laser-beams scheme. We explore the dependence of spin rotation, and we identify two key control parameters which we interpret as equivalent to the gate-source and drain-source voltages of a field effect transistor. Our finding broadens the spectrum of atomtronics devices for implementation of operational spin-sensitive circuits.
• Abstract（参考訳）: スピン依存型電気注入は記憶装置に有用であるが、スピン軌道の弱い結合や強いスピン緩和のために完全に動作するスピン依存型半導体エレクトロニクスは難しい課題である。 これらの制限はスピンキャリアとして電子や穴の代わりに原子を考慮に入れられる。 この出現する原子エレクトロニクス分野において、三重項レーザービーム法と相互作用するスピンキャリアとしてストロンチウム原子の退化フェルミガスを用いたダッタダストランジスタの等価性を実証する。 スピン回転の依存性について検討し、電界効果トランジスタのゲートソース電圧とドレインソース電圧とを等価と解釈する2つのキー制御パラメータを同定する。 本研究は、スピンセンシティブ回路実装のためのアトムトロニクスデバイスのスペクトルを広げる。

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