論文の概要: Van der Waals Magnet based Spin-Valve Devices at Room Temperature
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2107.00310v1
- Date: Thu, 1 Jul 2021 08:58:36 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-03-23 20:52:56.150801
- Title: Van der Waals Magnet based Spin-Valve Devices at Room Temperature
- Title（参考訳）: ファンデルワールス磁石を用いた室温スピンバルブデバイス
- Authors: Bing Zhao, Roselle Ngaloy, Anamul Md. Hoque, Bogdan Karpiak, Dmitrii
Khokhriakov, Saroj P. Dash
- Abstract要約: グラフェンを用いた強磁性体Fe5GeTe2を用いた室温スピンバルブデバイスについて実験を行った。
Fe5GeTe2/graphene vdW界面のトンネルスピン偏極は室温で45%, 負に大きく検出された。
これらの発見は、vdWマグネットをベースとした全2Dスピントロニクスデバイスと、周囲温度での集積スピン回路の応用の機会を開く。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.17126708168238122
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: The discovery of van der Waals (vdW) magnets opened up a new paradigm for
condensed matter physics and spintronic technologies. However, the operations
of active spintronic devices with vdW magnets are so far limited to cryogenic
temperatures, inhibiting its broader practical applications. Here, for the
first time, we demonstrate room temperature spin-valve devices using vdW
itinerant ferromagnet Fe5GeTe2 in heterostructures with graphene. The tunnel
spin polarization of the Fe5GeTe2/graphene vdW interface is detected to be
significantly large ~ 45 % and negative at room temperature. Lateral spin-valve
device design enables electrical control of spin signal and realization of
basic building blocks for device application such as efficient spin injection,
transport, precession, and detection functionalities. Furthermore, measurements
with different magnetic orientations provide unique insights into the magnetic
anisotropy of Fe5GeTe2 and its relation with spin polarization and dynamics in
the heterostructure. These findings open opportunities for the applications of
vdW magnet-based all-2D spintronic devices and integrated spin circuits at
ambient temperatures.
- Abstract（参考訳）: ファンデルワールス(vdW)磁石の発見により、凝縮物質物理学とスピントロニクス技術のための新しいパラダイムが開かれた。
しかし、vdw磁石を用いた能動スピントロンデバイスの動作は極低温に限られており、より実用的な応用を阻害している。
ここでは, グラフェンを含むヘテロ構造体において, vdW Itinerant ferromagnet Fe5GeTe2を用いた室温スピンバルブデバイスを初めて示す。
Fe5GeTe2/graphene vdW界面のトンネルスピン偏極は,室温では約45 %,負に大きく検出された。
横方向スピンバルブデバイス設計は、スピン信号の電気的制御と、効率的なスピン注入、輸送、沈降、検出機能などのデバイス応用のための基本的なビルディングブロックの実現を可能にする。
さらに、異なる磁気配向を持つ測定は、fe5gete2の磁気異方性とそのスピン偏光とヘテロ構造におけるダイナミクスに関するユニークな洞察を与える。
これらの発見は、vdWマグネットを用いた全2Dスピントロニクスデバイスと、周囲温度での集積スピン回路の応用の機会を開く。
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