論文の概要: Non-volatile Electric Control of Magnetic and Topological Properties of
MnBi2Te4 Thin Films
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2212.14331v1
- Date: Thu, 29 Dec 2022 14:51:05 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-01-09 04:04:01.534484
- Title: Non-volatile Electric Control of Magnetic and Topological Properties of
MnBi2Te4 Thin Films
- Title（参考訳）: MnBi2Te4薄膜の磁気及びトポロジー特性の非揮発性電気制御
- Authors: Wei Luo, Mao-Hua Du, Fernando A. Reboredo and Mina Yoon
- Abstract要約: 磁気力結合を用いたトポロジカル量子材料(TQM)の磁気特性の制御機構を提案する。
この機構は、2次元(2D)強誘電体を持つTQMのヘテロ構造を用いる。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 66.02797153096846
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: In this letter, we propose a mechanism to control the magnetic properties of
topological quantum material (TQM) by using magnetoelectric coupling: this
mechanism uses a heterostructure of TQM with two-dimensional (2D) ferroelectric
material, which can dynamically control the magnetic order by changing the
polarization of the ferroelectric material and induce possible topological
phase transitions. This concept is demonstrated using the example of the
bilayer MnBi2Te4 on ferroelectric In2Se3 or In2Te3, where the polarization
direction of the 2D ferroelectrics determines the interfacial band alignment
and consequently the direction of the charge transfer. This charge transfer, in
turn, enhances the stability of the ferromagnetic state of MnBi2Te4 and leads
to a possible topological phase transition between the quantum anomalous Hall
(QAH) effect and the zero plateau QAH. Our work provides a route to dynamically
alter the magnetic ordering of TQMs and could lead to the discovery of new
multifunctional topological heterostructures.
- Abstract（参考訳）: 本稿では,TQMの磁気特性を磁気的結合を用いて制御する機構を提案する。この機構は,2次元(2次元)強誘電体をもつTQMのヘテロ構造を用いて,強誘電体の偏極を変化させて動的に磁気秩序を制御し,トポロジカル相転移を誘導する。
この概念は、強誘電体in2se3またはin2te3上の二層mnbi2te4の例を用いて示され、2d強誘電体の偏光方向が界面バンドアライメントと電荷移動の方向を決定する。
この電荷移動はmnbi2te4の強磁性状態の安定性を高め、量子異常ホール(qah)効果とゼロプラトーqahの間の位相相転移を引き起こす。
我々の研究は、TQMの磁場秩序を動的に変化させる経路を提供し、新しい多機能トポロジカルなヘテロ構造の発見につながる可能性がある。
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