論文の概要: A flexible design platform for Si/SiGe exchange-only qubits with low disorder

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2107.10916v1
• Date: Thu, 22 Jul 2021 20:22:34 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-03-21 05:11:39.812146
• Title: A flexible design platform for Si/SiGe exchange-only qubits with low disorder
• Title（参考訳）: 低障害を有するSi/SiGe交換専用量子ビットのフレキシブル設計プラットフォーム
• Authors: Wonill Ha, Sieu D. Ha, Maxwell D. Choi, Yan Tang, Adele E. Schmitz, Mark P. Levendorf, Kangmu Lee, James M. Chappell, Tower S. Adams, Daniel R. Hulbert, Edwin Acuna, Ramsey S. Noah, Justine W. Matten, Michael P. Jura, Jeffrey A. Wright, Matthew T. Rakher, and Matthew G. Borselli
• Abstract要約: CMOSライクなウエハ処理のスループットと直接書き込みリソグラフィの汎用性を組み合わせた,交換専用Si量子デバイスプラットフォームを提案する。 また,SLEDGE法は,リフトオフ金属化による従来の重畳ゲート装置と比較して静電気障害を減少させることを示した。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 2.1067688086149503
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Spin-based silicon quantum dots are an attractive qubit technology for quantum information processing with respect to coherence time, control, and engineering. Here we present an exchange-only Si qubit device platform that combines the throughput of CMOS-like wafer processing with the versatility of direct-write lithography. The technology, which we coin "SLEDGE," features dot-shaped gates that are patterned simultaneously on one topographical plane and subsequently connected by vias to interconnect metal lines. The process design enables non-trivial layouts as well as flexibility in gate dimensions, material selection, and additional device features such as for rf qubit control. We show that the SLEDGE process has reduced electrostatic disorder with respect to traditional overlapping gate devices with lift-off metallization, and we present spin coherent exchange oscillations and single qubit blind randomized benchmarking data.
• Abstract（参考訳）: スピンベースのシリコン量子ドットは、コヒーレンス時間、制御、エンジニアリングに関する量子情報処理のための魅力的な量子ビット技術である。 本稿では,CMOSライクなウエハ処理のスループットと直接書き込みリソグラフィの汎用性を組み合わせた,交換専用Si量子デバイスプラットフォームを提案する。 我々がSLEDGEと名づけたこの技術は、ドット状のゲートを1つの地形面上に同時にパターン化し、その後、金属線を介して接続する。 プロセス設計は、非自明なレイアウトとゲート次元の柔軟性、材料選択、rf量子ビット制御などの追加のデバイス機能を可能にする。 SLEDGEプロセスは、リフトオフ金属化による従来の重なり合うゲートデバイスに対して静電気障害を低減し、スピンコヒーレント交換振動と単一量子ビットブラインドランダム化ベンチマークデータを示す。

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