論文の概要: Thin-Film InGaAs Metamorphic Buffer for telecom C-band InAs Quantum Dots
and Optical Resonators on GaAs Platform
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2107.13371v2
- Date: Mon, 2 Aug 2021 14:01:55 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-03-20 17:13:03.717325
- Title: Thin-Film InGaAs Metamorphic Buffer for telecom C-band InAs Quantum Dots
and Optical Resonators on GaAs Platform
- Title（参考訳）: GaAsプラットフォーム上のCバンドInAs量子ドットおよび光共振器用薄膜InGaAs変成バッファ
- Authors: Robert Sittig, Cornelius Nawrath, Sascha Kolatschek, Stephanie Bauer,
Richard Schaber, Jiasheng Huang, Ponraj Vijayan, Simone Luca Portalupi,
Michael Jetter, Peter Michler
- Abstract要約: 新規薄膜MBB上に堆積したInAs QDsから1550nmの単一光子放出を示す。
QD/MMB構造のエピタキシャル成長の進展は、高品質なテレコム非古典光源の製造の基礎となる。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: The GaAs-based material system is well-known for the implementation of InAs
quantum dots (QDs) with outstanding optical properties. However, these dots
typically emit at a wavelength of around 900nm. The insertion of a metamorphic
buffer (MMB) can shift the emission to the technologically attractive telecom
C-band range centered at 1550nm. However, the thickness of common MMB designs
limits their compatibility with most photonic resonator types. Here we report
on the MOVPE growth of a novel InGaAs MMB with a non-linear indium content
grading profile designed to maximize plastic relaxation within minimal layer
thickness. Single-photon emission at 1550nm from InAs QDs deposited on top of
this thin-film MMB is demonstrated. The strength of the new design is proven by
integrating it into a bullseye cavity via nano-structuring techniques. The
presented advances in the epitaxial growth of QD/MMB structures form the basis
for the fabrication of high-quality telecom non-classical light sources as a
key component of photonic quantum technologies.
- Abstract（参考訳）: GaAs系材料システムは、優れた光学特性を持つInAs量子ドット(QD)の実装でよく知られている。
しかし、これらの点は通常約900nmの波長で放射される。
メタモルフィックバッファ(MMB)の挿入は、放射を1550nm中心の技術的に魅力的なCバンドレンジにシフトさせることができる。
しかし、一般的なMBM設計の厚さは、ほとんどのフォトニック共振器タイプとの互換性を制限している。
ここでは, 最小層厚内での塑性緩和を最大化するために, 非リニアインジウム含有グレーディングプロファイルを有する新規InGaAs MMBのMOVPE成長について報告する。
この薄膜MBB上に堆積したInAs QDsから1550nmの単光子放出を示す。
新しいデザインの強さは、ナノ構造技術によってブルジーのキャビティに組み込むことで証明されている。
提案したQD/MMB構造のエピタキシャル成長の進歩は、光量子技術の鍵となる高品質なテレコム非古典光源の製造の基礎となる。
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