論文の概要: Physics-Based Models for Magneto-Electric Spin-Orbit Logic Circuits
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2110.10890v1
- Date: Thu, 21 Oct 2021 04:31:10 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-03-10 21:57:44.351066
- Title: Physics-Based Models for Magneto-Electric Spin-Orbit Logic Circuits
- Title（参考訳）: 磁気電気スピン軌道論理回路の物理モデル
- Authors: Hai Li, Dmitri E. Nikonov, Chia-Ching Lin, Kerem Camsari, Yu-Ching
Liao, Chia-Sheng Hsu, Azad Naeemi, and Ian A. Young
- Abstract要約: 本研究では, スピン軌道結合部を4x4行列で表す物理モデルを提案する。
また、Landau-Lifshitz-Gilbert (LLG) とLandau-Khalatnikov (LK) の方程式に基づいて、強磁性体の強誘電体および強磁性体のより厳密な物理モデルを示す。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 6.774722358229615
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Spintronic devices are a promising beyond-CMOS device option thanks to their
energy efficiency and compatibility with CMOS. To accurately capture their
multi-physics dynamics, a rigorous treatment of both spin and charge and their
inter-conversion is required. Here we present physics-based device models based
on 4x4 matrices for the spin-orbit coupling part of the magneto-electric
spin-orbit (MESO) device. Also, a more rigorous physics model of ferroelectric
and magnetoelectric switching of ferromagnets, based on Landau-Lifshitz-Gilbert
(LLG) and Landau-Khalatnikov (LK) equations, is presented. With the combined
model implemented in a SPICE circuit simulator environment, simulation results
were obtained which show feasibility of MESO implementation and functional
operation of buffers, oscillators, and majority gates.
- Abstract（参考訳）: スピントロニクスデバイスは、そのエネルギー効率とCMOSとの互換性のおかげで、CMOSを超える有望なオプションである。
マルチフィジカルダイナミクスを正確に捉えるためには,スピンと電荷の厳密な処理と変換が必要である。
本稿では, 電磁スピン軌道(MESO)装置のスピン軌道結合部に対する4x4行列に基づく物理モデルを提案する。
また、Landau-Lifshitz-Gilbert (LLG) およびLandau-Khalatnikov (LK) 方程式に基づく強磁性体の強誘電・強磁性スイッチングのより厳密な物理モデルを示す。
SPICE回路シミュレータ環境に実装した複合モデルを用いて,MESO実装の実現可能性とバッファ,発振器,多数ゲートの機能操作性を示すシミュレーション結果を得た。
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