Fugu-MT 論文翻訳(概要): The fundamental 1/f noise in monolayer graphene

論文の概要: The fundamental 1/f noise in monolayer graphene

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2111.01586v1
Date: Tue, 2 Nov 2021 13:31:59 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-03-09 08:59:48.746816
Title: The fundamental 1/f noise in monolayer graphene
Title（参考訳）: 単層グラフェンの基本1/fノイズ
Authors: Kirill A. Kazakov
Abstract要約: 可観測体の異なる時間における非可換性に起因する量子的不確定性は、導電性材料の電圧ノイズパワースペクトルに低い境界を設定する。グラフェンの擬似スピン/バレーバンド構造は、量子境界を7/2の因子で上昇させる。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Abstract: The quantum indeterminacy caused by non-commutativity of observables at different times sets a lower bound on the voltage noise power spectrum in any conducting material. This bound is calculated explicitly in the case of monolayer graphene. It is found that account of graphene pseudospin/valley band structure raises the quantum bound by a factor of 7/2 compared to the case of spinless charge carriers with a conical energy-momentum dispersion. The bound possesses all characteristic properties of 1/f noise, and its dependence on the charge carrier density is congruent to the experimentally observed.
Abstract（参考訳）: 異なる時間に観測可能の非可換性に起因する量子不確定性は、導電性材料中の電圧ノイズパワースペクトルの下限を設定する。この境界は単層グラフェンの場合明示的に計算される。グラフェンの擬似スピン/バレーバンド構造は、円錐エネルギー-運動量分散を持つスピンレス電荷担体と比較して7/2の係数で量子境界を上昇させる。境界は1/f雑音の全ての特性を持ち、電荷キャリア密度依存性は実験的に観測された値と一致している。

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