論文の概要: Absence of decoherence in the electron-wall system

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2111.05246v1
• Date: Tue, 9 Nov 2021 16:33:52 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-03-08 18:08:25.985035
• Title: Absence of decoherence in the electron-wall system
• Title（参考訳）: 電子壁系における脱コヒーレンスの存在
• Authors: Zilin Chen, Wayne Cheng-Wei Huang, and Herman Batelaan
• Abstract要約: 光学的に励起されたGaAs表面と金チャネルを通過する電子を観察する。 GaAs表面の高比抵抗と金表面の近接は強い脱コヒーレンスをもたらす。 これはこれらのモデルが提案するよりもデコヒーレンスレートが低いことを意味する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Decoherence is associated with a dissipative environment as described by the Caldeira-Leggett equation. Anglin and Zurek predicted that a resistive surface could act as such a dissipative environment for a free electron wave passing close to it. We scrutinize Zurek's and other promising decoherence theoretical models by observing electrons passing by an optically excited GaAs surface and through a gold channel. The high resistivity of the GaAs surface and close proximity to the gold surface leads to strong decoherence within these decoherence models. In contradistinction, the observed contrast is high in our electron diffraction patterns. This implies lower decoherence rates than suggested by these models, making electron-matter-wave-guides and other technologies, where quantum coherence of electrons close to materials is important, a possibility
• Abstract（参考訳）: デコヒーレンスはカルデイラ・レゲット方程式で記述された散逸環境と関連している。 アングリンとズレックは、抵抗面がその近くを通過する自由電子波の散逸環境として機能すると予測した。 我々は、光学的に励起されたGaAs表面および金チャネルを通過する電子を観察することで、ズレックや他の有望な脱コヒーレンス理論モデルを精査する。 GaAs表面の高比抵抗と金表面への近接は、これらのデコヒーレンスモデルの中で強いデコヒーレンスをもたらす。 対照的に、観察されたコントラストは電子回折パターンにおいて高い。 これは、これらのモデルによって示唆されるよりも低いデコヒーレンス率を意味し、電子マッター波導波路や他の技術が物質に近い電子の量子コヒーレンスが重要である場合、可能性である。

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