論文の概要: Aloof electron probing of in-plane SPV charge distributions on GaAs surfaces

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2111.05246v2
• Date: Tue, 05 Nov 2024 15:29:39 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2024-11-06 14:56:23.318669
• Title: Aloof electron probing of in-plane SPV charge distributions on GaAs surfaces
• Title（参考訳）: GaAs表面上の平面SPV電荷分布のAloof電子探査
• Authors: Zilin Chen, Wayne Cheng-Wei Huang, Herman Batelaan,
• Abstract要約: 633nmレーザーで照射した未ドープGaAs表面によるアルーフ電子の強い偏向を報告する。 表面の太陽電池電荷からの偏向電界は、真空に100mも伸びる。 本研究は,半導体表面の2次元電荷パターンを走査レーザビームで記述する可能性を示している。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.060688205966063585
• License:
• Abstract: The motion of free electrons moving parallel and above a semiconductor surface can be influenced by shining laser light onto the surface. Here we report strong deflection of aloof electrons by an undoped GaAs surface illuminated with a 633nm laser. The deflecting electric field from the surface photovoltaic charges extends 100 {\mu}m into the vacuum. As surface photovoltage (SPV) is sensitive to the electronic states of the GaAs surface, the aloof electron beam serves as a probe for SPV charge dynamics at the mesoscopic length scale. The observed in-plane SPV charge distribution persists beyond 1 second after the laser beam is blocked. Our work suggests the possibility of writing designed 2D charge patterns on semiconductor surfaces with a scanning laser beam, providing unusual flexibility for electron beam manipulation.
• Abstract（参考訳）: 半導体表面上を平行に動く自由電子の運動は、表面へのレーザー光の輝きに影響される。 ここでは、633nmレーザーで照射された未ドープGaAs表面によるアルーフ電子の強い偏向を報告する。 表面の太陽電池電荷から偏向する電場は、真空に100 {\mu}m伸びる。 表面光電圧(SPV)はGaAs表面の電子状態に敏感であるため、アルーフ電子ビームはメソスコピックスケールでのSPV電荷ダイナミクスのプローブとして機能する。 観測された平面内SPV電荷分布は、レーザービームが遮断された後1秒以上持続する。 本研究は, 半導体表面の2次元電荷パターンを走査レーザビームで記述し, 電子ビームの操作に異常な柔軟性をもたらす可能性を示唆している。

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