論文の概要: Controllable nonreciprocal optical response and handedness-switching in
magnetized spin orbit coupled graphene
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2201.01779v2
- Date: Sat, 26 Feb 2022 11:11:02 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-03-02 05:23:16.277156
- Title: Controllable nonreciprocal optical response and handedness-switching in
magnetized spin orbit coupled graphene
- Title(参考訳): 磁化スピン軌道結合グラフェンにおける制御可能な非逆光応答とハンドネススイッチング
- Authors: Mohammad Alidoust, Klaus Halterman
- Abstract要約: 我々は、ラシュバスピン軌道結合(SOC)を持つ磁化グラフェン層の動的光伝導率と誘電率テンソルを計算する。
その結果,通常の非相互長手導電率と相関する横ホール導電率を示した。
磁化スピン軌道結合グラフェンは、SOC強度に対して化学ポテンシャルと磁化強度を変化させることによって効果的に制御され、強いハンドネススイッチングをサポートする。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Starting from a low-energy effective Hamiltonian model, we theoretically
calculate the dynamical optical conductivity and permittivity tensor of a
magnetized graphene layer with Rashba spin orbit coupling (SOC). Our results
reveal a transverse Hall conductivity correlated with the usual nonreciprocal
longitudinal conductivity. Further analysis illustrates that for intermediate
magnetization strengths, the relative magnitudes of the magnetization and SOC
can be identified experimentally by two well-separated peaks in the dynamical
optical response (both the longitudinal and transverse components) as a
function of photon frequency. Moreover, the frequency dependent permittivity
tensor is obtained for a wide range of chemical potentials and magnetization
strengths. Employing experimentally realistic parameter values, we calculate
the circular dichroism of a representative device consisting of magnetized spin
orbit coupled graphene and a dielectric insulator layer, backed by a metallic
plate. The results reveal that this device has different relative
absorptivities for right-handed and left-handed circularly polarized
electromagnetic waves. It is found that the magnetized spin orbit coupled
graphene supports strong handedness-switchings, effectively controlled by
varying the chemical potential and magnetization strength with respect to the
SOC strength.
- Abstract(参考訳): 低エネルギー有効ハミルトニアンモデルから始めて、ラシュバスピン軌道結合(SOC)を持つ磁化グラフェン層の動的光伝導率と誘電率テンソルを理論的に計算する。
その結果,通常の非相互長手導電率と相関する横ホール導電率を示した。
さらに、中間磁化強度については、光子周波数の関数として、動的光学応答(縦成分と横成分の両方)の2つのよく分離されたピークによって、磁化とsocの相対的な大きさを実験的に同定できることを示した。
さらに、幅広い化学的ポテンシャルと磁化強度に対して周波数依存性の誘電率テンソルが得られる。
実験的に現実的なパラメータ値を用いて,磁化スピン軌道結合グラフェンと誘電体絶縁層からなる代表装置の円二色性を計算する。
その結果、この装置は右利きと左利きの円偏波の相対吸収率が異なることが判明した。
磁化スピン軌道結合グラフェンは、SOC強度に対して化学ポテンシャルと磁化強度を変化させることによって効果的に制御され、強いハンドネススイッチングをサポートする。
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