Fugu-MT 論文翻訳(概要): Surface passivation and oxide encapsulation to improve optical properties of a single GaAs quantum dot close to the surface

論文の概要: Surface passivation and oxide encapsulation to improve optical properties of a single GaAs quantum dot close to the surface

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2202.02655v1
Date: Sat, 5 Feb 2022 23:18:12 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-02-26 18:57:33.786816
Title: Surface passivation and oxide encapsulation to improve optical properties of a single GaAs quantum dot close to the surface
Title（参考訳）: 表面近傍の単一GaAs量子ドットの光学的特性向上のための表面通過と酸化物カプセル化
Authors: Santanu Manna, Huiying Huang, Saimon Filipe Covre da Silva, Christian Schimpf, Michele B. Rota, Barbara Lehner, Marcus Reindl, Rinaldo Trotta and Armando Rastelli
Abstract要約: いくつかのナノフォトニクス構造への集積は、100nm未満の表面からドット間距離を必要とする。表面からQD距離は40nmである。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
Abstract: Epitaxial GaAs quantum dots grown by droplet etching have recently shown excellent properties as sources of single photons as well as entangled photon pairs. Integration in some nanophotonic structures requires surface-to-dot distances of less than 100 nm. This demands a surface passivation scheme, which could be useful to lower the density of surface states. To address this issue, sulphur passivation with dielectric overlayer as an encapsulation is used for surface to QD distances of 40 nm, which results in the partial recovery of emission linewidths to bulk values as well as in the increase of the photoluminescence intensity.
Abstract（参考訳）: 液滴エッチングにより成長したエピタキシャルGaAs量子ドットは、近年、単一の光子と絡み合った光子対の源として優れた性質を示している。いくつかのナノフォトニクス構造への集積は、100nm未満の表面からドット間距離を必要とする。これは、表面状態の密度を低下させるのに役立つ表面受動スキームを必要とする。この問題に対処するため、40nmの表面からQD距離のカプセル化として誘電体上層を誘電体上層に通電させることにより、発光強度の増加とともに発光幅をバルク値に部分的に回復させる。

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