Fugu-MT 論文翻訳(概要): Enhanced light collection from a gallium nitride color center using a near index-matched solid immersion lens

論文の概要: Enhanced light collection from a gallium nitride color center using a near index-matched solid immersion lens

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2202.06754v1
Date: Mon, 14 Feb 2022 14:23:35 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-02-25 21:06:57.941423
Title: Enhanced light collection from a gallium nitride color center using a near index-matched solid immersion lens
Title（参考訳）: 近比整合固体浸漬レンズを用いた窒化ガリウム色中心からの光集光
Authors: S.G. Bishop, J.P. Hadden, R. Hekmati, J.K. Cannon, W.W. Langbein and A.J. Bennett
Abstract要約: 半極性窒化ガリウム基板における明るい色中心について報告し, 近赤外域の室温で発光する。半導体と一致するインデックスに近い半球状固体浸漬レンズは、光子収集効率を高めるために使用できる。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: Among the wide-bandgap compound semiconductors, gallium nitride is the most widely available material due to its prevalence in the solid state lighting and high-speed/high-power electronics industries. It is now known that GaN is one of only a handful of materials to host color centers that emit quantum light at room temperature. In this paper, we report on a bright color center in a semi-polar gallium nitride substrate, emitting at room temperature in the near-infrared. We show that a hemispherical solid immersion lens, near index matched to the semiconductor, can be used to enhance the photon collection efficiency by a factor of $4.3\pm0.1$, whilst improving the lateral resolution by a factor equal to the refractive index of the lens.
Abstract（参考訳）: 広帯域化合物半導体のうち、窒化ガリウムは固体照明や高速・高出力電子産業が普及しているため、最も広く利用可能な材料である。現在、GaNは室温で量子光を発する色中心をホストする数少ない材料の一つであることが知られている。本稿では, 半極性窒化ガリウム基板において, 近赤外域の室温で発光する明るい色中心について報告する。半球形固体浸漬レンズは, 半導体の屈折率に等しい係数で横方向分解能を向上させつつ, 4.3\pm0.1$の係数で光子収集効率を向上させることができることを示した。

関連論文リスト

Single photon emitters in monolayer semiconductors coupled to transition metal dichalcogenide nanoantennas on silica and gold substrates [49.87501877273686]
遷移金属ジアルコゲナイド(TMD)単一光子エミッタは、量子情報応用に多くの利点をもたらす。シリコンやガリウムホスプヒド(GaP)などのナノ共振器の製造に用いられる伝統的な材料は、高い屈折率の基質を必要とすることが多い。ここでは,多層TMDで作製したナノアンテナ(NA)を用いて,基板選択による完全な柔軟性を実現する。
論文参考訳（メタデータ） (2024-08-02T07:44:29Z)
Cavity-Enhanced Emission and Absorption of Color Centers in a Diamond Membrane With Selectable Strain [34.006376530375064]
ダイヤモンド中のIV族色中心は最も有望な光学活性スピン系である。単結晶ダイヤモンド膜における誘起ひずみにより, 基底状態の分裂を最大で1等級に増大させる。パーセルによるエミッター寿命の1ns未満の2倍の減少と合わせて、この系は4Kの適度な温度で有望なスピン光子界面となる。
論文参考訳（メタデータ） (2024-05-30T16:08:13Z)
Site-Controlled Purcell-Induced Bright Single Photon Emitters in Hexagonal Boron Nitride [62.170141783047974]
六方晶窒化ホウ素(hBN)でホストされる単一光子エミッタは、室温で動作する量子フォトニクス技術にとって必須の構成要素である。我々はPurcellにより誘導されるサイト制御SPEのためのプラズモンナノ共振器の大規模アレイを実験的に実証した。我々の結果は、明るく、均一に統合された量子光源の配列を提供し、堅牢でスケーラブルな量子情報システムへの道を開いた。
論文参考訳（メタデータ） (2024-05-03T23:02:30Z)
Quantum Emitters in Aluminum Nitride Induced by Zirconium Ion Implantation [70.64959705888512]
本研究は, 窒化アルミニウム(AlN)をオンチップフォトニクスに高度に適合する特性を有する材料として検討した。ジルコニウム (Zr) およびクリプトン (Kr) 重イオン注入によるAlN中の単一光子発光体の生成と光物性の総合的研究を行った。 532nmの励起波長では、イオン注入によって誘起される単一光子エミッタは、ZrおよびKrイオンのAlN格子の空孔型欠陥と主に関連していることがわかった。
論文参考訳（メタデータ） (2024-01-26T03:50:33Z)
Additive GaN solid immersion lenses for enhanced photon extraction efficiency from diamond color centers [0.8146444405225518]
マイクロトランスファープリントGaN固体浸漬レンズによるバルクダイヤモンド中の窒素空孔中心(NV)からの蛍光集光効率の向上を報告した。マイクロレンズは非侵襲的に集積され、非構造ダイヤモンド表面に付加され、ヴァンダーワールス力によって結合される。
論文参考訳（メタデータ） (2023-06-20T16:48:34Z)
Room Temperature Fiber-Coupled single-photon devices based on Colloidal Quantum Dots and SiV centers in Back Excited Nanoantennas [91.6474995587871]
指向性は、ハイブリッド金属誘電性ブルゼーアンテナで達成される。ジャガイモ中心に位置するサブ波長の穴にエミッタを配置することで、バック励起が許される。
論文参考訳（メタデータ） (2023-03-19T14:54:56Z)
Sub-to-super-Poissonian photon statistics in cathodoluminescence of color center ensembles in isolated diamond crystals [1.431357479164058]
ダイヤモンド中の不純物空孔中心は、多目的な量子的性質を持つ新しい種類の堅牢な光子源を提供する。特定のタイプの励起は、ダイヤモンド結晶内の色中心アンサンブルの発光特性に影響を与える。
論文参考訳（メタデータ） (2023-02-07T10:47:03Z)
Room temperature single-photon emitters in silicon nitride [97.75917079876487]
二酸化ケイ素基板上に成長した窒化ケイ素(SiN)薄膜における室温単一光子放射体の初観測について報告する。 SiNは近年、集積量子フォトニクスの最も有望な材料として登場し、提案されたプラットフォームは、量子オンチップデバイスのスケーラブルな製造に適している。
論文参考訳（メタデータ） (2021-04-16T14:20:11Z)
Photoluminescence of nitrogen-vacancy and silicon-vacancy color centers in phosphorus-doped diamond at room and higher temperatures [0.0]
リンをドープしたダイヤモンドは、センシング、光電子工学、量子フォトニクスの応用に有用である。リンドープダイヤモンド中の窒素空孔およびシリコン空孔の色中心の発光信号を温度関数として検討した。
論文参考訳（メタデータ） (2021-01-14T23:11:08Z)
Nitrogen-vacancy defect emission spectra in the vicinity of an adjustable silver mirror [62.997667081978825]
固体状態における量子放射の光学放射は、新興技術にとって重要な構成要素である。平面ダイヤモンド表面下8nm付近に埋没した窒素空洞欠陥の発光スペクトルを実験的に検討した。
論文参考訳（メタデータ） (2020-03-31T10:43:26Z)

関連論文リストは本サイト内にある論文のタイトル・アブストラクトから自動的に作成しています。