論文の概要: Photoluminescence of nitrogen-vacancy and silicon-vacancy color centers
in phosphorus-doped diamond at room and higher temperatures
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2101.05904v1
- Date: Thu, 14 Jan 2021 23:11:08 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-04-15 04:57:38.557909
- Title: Photoluminescence of nitrogen-vacancy and silicon-vacancy color centers
in phosphorus-doped diamond at room and higher temperatures
- Title（参考訳）: リンドープダイヤモンドの室温および高温における窒素空白およびシリコン空白色中心の発光
- Authors: F. Sledz, S. Piccolomo, A. M. Flatae, S. Lagomarsino, R. Rechenberg,
M. F. Becker, S. Sciortino, N. Gelli, I. A. Khramtsov, D. Yu. Fedyanin, G.
Speranza, L. Giuntini, M. Agio
- Abstract要約: リンをドープしたダイヤモンドは、センシング、光電子工学、量子フォトニクスの応用に有用である。
リンドープダイヤモンド中の窒素空孔およびシリコン空孔の色中心の発光信号を温度関数として検討した。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Phosphorus-doped diamond is relevant for applications in sensing,
optoelectronics and quantum photonics, since the unique optical properties of
color centers in diamond can be combined with the n-type conductivity attained
by the inclusion of phosphorus. Here, we investigate the photoluminescence
signal of the nitrogen-vacancy and silicon-vacancy color centers in
phosphorus-doped diamond as a function of temperature starting from ambient
conditions up to about 100$^\circ$ Celsius, focusing on the zero-phonon line
(ZPL). We find that the wavelength and width of the ZPL of the two color
centers exhibit a comparable dependence on temperature, despite the strong
difference in the photoluminescence spectra. Moreover, the temperature
sensitivity of the ZPL of the silicon-vacancy center is not significantly
affected by phosphorus-doping, as we infer by comparison with silicon-vacancy
centers in electronic-grade single-crystal diamond.
- Abstract（参考訳）: 蛍光体ドープダイヤモンドは、蛍光体を含むことで得られるn型伝導度と、ダイヤモンド中の色中心のユニークな光学的性質を組み合わせることができるため、センシング、光電子学、量子フォトニクスの応用に有用である。
本稿では,0フォノン線(ZPL)に着目し,周囲条件から約100ドル^\circ$ Celsiusまでの温度関数として,リンドープダイヤモンド中の窒素空孔およびシリコン空孔色中心の発光信号について検討した。
2つの色中心のZPLの波長と幅は、発光スペクトルの強い差にもかかわらず、温度に匹敵する依存性を示す。
また, シリコン空孔中心のzplの温度感度は, 電子グレード単結晶ダイヤモンドのシリコン空孔中心と比較して, リンドーピングの影響を受けないことがわかった。
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