論文の概要: Correlative nanoscale imaging of strained hBN spin defects

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2203.10075v1
• Date: Fri, 18 Mar 2022 17:42:09 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-02-21 12:23:29.320039
• Title: Correlative nanoscale imaging of strained hBN spin defects
• Title（参考訳）: 歪みhBNスピン欠陥の相関ナノスケールイメージング
• Authors: David Curie, Jaron T. Krogel, Lukas Cavar, Abhishek Solanki, Pramey Upadhyaya, Tongcang Li, Yun-Yi Pai, Michael Chilcote, Vasudevan Iyer, Alex Puretzky, Ilia Ivanov, Mao-Hua Du, Fernando Reboredo, Benjamin Lawrie
• Abstract要約: 六方晶窒化ホウ素(hBN)における負電荷のホウ素空孔色中心(V_B-$)のようなスピン欠陥は、層状ファンデルワールスヘテロ構造における準表面欠陥による新しい量子センシングを可能にする。 相関カソードルミネッセンスおよびフォトルミネッセンス顕微鏡を用いたhBNの色中心に,hBNフレークのクレース関連株が与える影響を明らかにした。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 42.60602838972598
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Spin defects like the negatively charged boron vacancy color center ($V_B^-$) in hexagonal boron nitride (hBN) may enable new forms of quantum sensing with near-surface defects in layered van der Waals heterostructures. Here, we reveal the effect of strain associated with creases in hBN flakes on $V_B^-$ and $V_B$ color centers in hBN with correlative cathodoluminescence and photoluminescence microscopies. We observe strong localized enhancement and redshifting of the $V_B^-$ luminescence at creases, consistent with density functional theory calculations showing $V_B^-$ migration toward regions with moderate uniaxial compressive strain. The ability to manipulate these spin defects with highly localized strain offers intriguing possibilities for future 2D quantum sensors.
• Abstract（参考訳）: 六方晶窒化ホウ素(hBN)における負電荷のホウ素空孔色中心(V_B^-$)のようなスピン欠陥は、層状ファンデルワールスヘテロ構造における準表面欠陥を伴う新しい量子センシングを可能にする。 ここでは,hBNフレークのクレースに伴うひずみが,相関カソードルミネッセンスおよびフォトルミネッセンス顕微鏡を用いて,hBNの色中心である$V_B^-$および$V_B$に与える影響を明らかにする。 クリーゼにおける$V_B^-$発光の強い局所化と赤方偏移を観測し、中等度一軸圧縮ひずみのある領域へのV_B^-$移動を示す密度汎関数理論計算と一致した。 これらのスピン欠陥を高度に局所的に操作する能力は、将来の2D量子センサーに興味深い可能性をもたらす。

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