論文の概要: Giant shift upon strain on the fluorescence spectrum of V$_{\rm
N}$N$_{\rm B}$ color centers in $h$-BN
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2001.02749v2
- Date: Sun, 16 Aug 2020 07:46:29 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-01-13 13:13:53.121672
- Title: Giant shift upon strain on the fluorescence spectrum of V$_{\rm
N}$N$_{\rm B}$ color centers in $h$-BN
- Title(参考訳): h$-bnにおけるv$_{\rm n}$n$_{\rm b}$色中心の蛍光スペクトルの歪による巨大シフト
- Authors: Song Li, Jyh-Pin Chou, Alice Hu, Martin B. Plenio, P\'eter Udvarhelyi,
Gerg\H{o} Thiering, Mehdi Abdi, and Adam Gali
- Abstract要約: 六方晶窒化ホウ素(h$-BN)の窒素防食対の物理的性質に及ぼすひずみの影響について検討する。
窒素系アンチサイト-空洞対欠陥のゼロフォノンライン(ZPL)放出に対するひずみ印加による大きな変化がみられた。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 4.721148947786637
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We study the effect of strain on the physical properties of the nitrogen
antisite-vacancy pair in hexagonal boron nitride ($h$-BN), a color center that
may be employed as a quantum bit in a two-dimensional material. With group
theory and ab-initio analysis we show that strong electron-phonon coupling
plays a key role in the optical activation of this color center. We find a
giant shift on the zero-phonon-line (ZPL) emission of the nitrogen
antisite-vacancy pair defect upon applying strain that is typical of $h$-BN
samples. Our results provide a plausible explanation for the experimental
observation of quantum emitters with similar optical properties but widely
scattered ZPL wavelengths and the experimentally observed dependence of the ZPL
on the strain.
- Abstract(参考訳): 本研究では, 六方晶窒化ホウ素(h$-BN)の窒素系アンチサイト空孔対の物性に及ぼすひずみの影響について検討した。
グループ理論とab-initio分析により、強い電子-フォノンカップリングがこの色中心の光活性化において重要な役割を果たすことが示されている。
窒素系抗菌剤対欠陥のゼロフォノンライン (ZPL) 放出に対する大きな変化は, 典型的な$h$-BNサンプルのひずみを施すことによって生じる。
この結果は、同様の光学特性を持つ量子エミッタの実験的観察と、広く散乱したZPL波長と、ZPLのひずみ依存性に関する実験的な説明を提供する。
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