Fugu-MT 論文翻訳(概要): Nuclear Spin Quantum Memory in Silicon Carbide

論文の概要: Nuclear Spin Quantum Memory in Silicon Carbide

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2204.09295v2
Date: Mon, 8 Aug 2022 17:36:30 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-02-16 06:20:07.204430
Title: Nuclear Spin Quantum Memory in Silicon Carbide
Title（参考訳）: 炭化ケイ素における核スピン量子メモリ
Authors: Benedikt Tissot, Michael Trupke, Philipp Koller, Thomas Astner, Guido Burkard
Abstract要約: 炭化ケイ素(SiC)の遷移金属(TM)欠陥は量子技術への応用に有望なプラットフォームである。我々は、欠陥の厳密な理論的モデルに基づいて、核スピンを分極するプロトコルを開発する。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: Transition metal (TM) defects in silicon carbide (SiC) are a promising platform for applications in quantum technology. Some TM defects, e.g. vanadium, emit in one of the telecom bands, but the large ground state hyperfine manifold poses a problem for applications which require pure quantum states. We develop a driven, dissipative protocol to polarize the nuclear spin, based on a rigorous theoretical model of the defect. We further show that nuclear-spin polarization enables the use of well-known methods for initialization and long-time coherent storage of quantum states. The proposed nuclear-spin preparation protocol thus marks the first step towards an all-optically controlled integrated platform for quantum technology with TM defects in SiC.
Abstract（参考訳）: 炭化ケイ素(SiC)の遷移金属(TM)欠陥は量子技術への応用に有望なプラットフォームである。バナジウムのようないくつかのTM欠陥はテレコムバンドの1つを放出するが、大きな基底状態の超微細多様体は純粋な量子状態を必要とするアプリケーションに問題を引き起こす。我々は、欠陥の厳密な理論的モデルに基づいて、核スピンを分極するための駆動散逸プロトコルを開発する。さらに,核スピン偏極は量子状態の初期化と長期コヒーレント保存によく知られた手法を利用できることを示す。提案した核スピン準備プロトコルは、SiCにTM欠陥のある量子技術のための全光制御された統合プラットフォームへの第一歩となる。

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