Fugu-MT 論文翻訳(概要): Hyperfine Structure of Transition Metal Defects in SiC

論文の概要: Hyperfine Structure of Transition Metal Defects in SiC

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2104.12351v1
Date: Mon, 26 Apr 2021 05:16:02 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-04-02 09:10:09.714987
Title: Hyperfine Structure of Transition Metal Defects in SiC
Title（参考訳）: SiCにおける遷移金属欠陥の超微細構造
Authors: Benedikt Tissot and Guido Burkard
Abstract要約: 我々は、SiCのTM欠陥とTM核スピンとのD$シェルにおける活性電子の相互作用の理論を開発する。この理論に基づいて、核スピン操作と長寿命の核スピンベースの量子記憶への潜在的な応用と、核状態と電子状態の交換の可能性について議論する。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: Transition metal (TM) defects in silicon carbide (SiC) are a promising platform in quantum technology, especially because some TM defects emit in the telecom band. We develop a theory for the interaction of an active electron in the $D$-shell of a TM defect in SiC with the TM nuclear spin and derive the effective hyperfine tensor within the Kramers doublets formed by the spin-orbit coupling. Based on our theory we discuss the possibility to exchange the nuclear and electron states with potential applications for nuclear spin manipulation and long-lived nunclear-spin based quantum memories.
Abstract（参考訳）: 炭化ケイ素(SiC)の遷移金属(TM)欠陥は、特に通信帯域に発生するTM欠陥のため、量子技術において有望なプラットフォームである。我々は、SiCのTM欠陥のD$-shellにおける活性電子とTM核スピンとの相互作用の理論を開発し、スピン軌道結合によって形成されるクラマース二重電子の有効超微細テンソルを導出する。この理論に基づき、原子核状態と電子状態と核スピン操作と長寿命ヌンクレアスピンベースの量子記憶との交換の可能性について議論する。

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