Fugu-MT 論文翻訳(概要): Single G centers in silicon fabricated by co-implantation with carbon and proton

論文の概要: Single G centers in silicon fabricated by co-implantation with carbon and proton

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2204.13521v1
Date: Thu, 28 Apr 2022 14:13:09 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-02-15 06:30:21.832658
Title: Single G centers in silicon fabricated by co-implantation with carbon and proton
Title（参考訳）: 炭素とプロトンを併用したシリコン中の単一G中心
Authors: Yoann Baron, Alrik Durand, Tobias Herzig, Mario Khoury, S\'ebastien Pezzagna, Jan Meijer, Isabelle Robert-Philip, Marco Abbarchi, Jean-Michel Hartmann, Shay Reboh, Jean-Michel G\'erard, Vincent Jacques, Guillaume Cassabois and Ana\"is Dr\'eau
Abstract要約: 光通信波長の単一光子放射に適合するアレー密度を有するシリコン中のG中心の製造について報告する。試料はシリコン・オン・絶縁体ウェハを用いて作製し, 種々のフレンスで炭素イオンと陽子を局所的に注入した。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: We report the fabrication of G centers in silicon with an areal density compatible with single photon emission at optical telecommunication wavelengths. Our sample is made from a silicon-on-insulator wafer which is locally implanted with carbon ions and protons at various fluences. Decreasing the implantation fluences enables to gradually switch from large ensembles to isolated single defects, reaching areal densities of G centers down to $\sim$0.2 $\mu$m$^{-2}$. Single defect creation is demonstrated by photon antibunching in intensity-correlation experiments, thus establishing our approach as a reproducible procedure for generating single artificial atoms in silicon for quantum technologies.
Abstract（参考訳）: 光通信波長の単一光子放射に適合するアリーナ密度を持つシリコン中のG中心の製造について報告する。サンプルはシリコン・オン・インシュレーターウェハーで作られており、様々な蛍光で炭素イオンと陽子を局所的に注入している。注入流束を減少させることで、大きなアンサンブルから孤立した単一欠陥へと徐々に切り替えることができ、g中心の基底密度は$\sim$0.2$\mu$m$^{-2}$となる。単一欠陥生成は、強度相関実験において光子反バンチによって実証され、量子技術のためのシリコン中の単一人工原子を生成する再現可能な方法として確立される。

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