論文の概要: The fate of density waves in the presence of a higher order van Hove
singularity
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2205.08828v1
- Date: Wed, 18 May 2022 09:50:24 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-02-12 18:12:00.829031
- Title: The fate of density waves in the presence of a higher order van Hove
singularity
- Title（参考訳）: 高次ファンホーブ特異点の存在下での密度波の運命
- Authors: Alkistis Zervou, Garry Goldstein, Dmitriy V. Efremov and Joseph J.
Betouras
- Abstract要約: 我々は,高次バンホーブが平行に現れるとき,フェルミ面の一部のネストによって形成される密度波位相の運命について検討した。
位相形成は,特定の相互作用の強度に依存する特異点の存在によって促進できることがわかった。
我々は,Sr$_7$や遷移金属ジアルコゲナイドなどの実験システムへの本研究の応用について論じる。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Topological transitions in electronic band structures, resulting in van Hove
singularities in the density of states, can considerably affect various types
of orderings in quantum materials. Regular topological transitions (of neck
formation or collapse) lead to a logarithmic divergence of the electronic
density of states (DOS) as a function of energy in two-dimensions. In addition
to the regular van-Hove singularities, there are higher order van Hove
singularities that have a power-law divergences. By employing renormalization
group techniques, we study the fate of density wave phases (spin-density and
charge-density waves) formed by the nesting of parts of the Fermi surface when
a higher order van Hove singularity (HOVHS) appears in parallel. We find that
the phase formation can be boosted by the presence of the singularity depending
on the strength of certain interactions, with the critical temperature
increasing by orders of magnitude. We discuss applications of our findings to
different experimental systems such as Sr$_3$Ru$_2$O$_7$ and transition metal
dichalcogenides.
- Abstract（参考訳）: 電子バンド構造のトポロジカルな遷移は、状態密度のファン・ホーブ特異点をもたらすが、量子材料中の様々な種類の秩序に大きく影響する。
通常のトポロジカル遷移(ネック形成や崩壊)は、2次元におけるエネルギーの関数としての状態(DOS)の電子密度の対数的ばらつきをもたらす。
正則なファン・ホーブ特異点に加えて、より高階のヴァン・ホーブ特異点があり、これは有理分岐を持つ。
正規化群法を用いて,高次ファンホーブ特異点(HOVHS)が並列に現れるとき,フェルミ面の一部がネストすることによって生じる密度波位相(スピン密度,電荷密度)の運命を考察した。
位相形成は,特定の相互作用の強度によって特異点の存在によって促進され,臨界温度は桁違いに増加することが判明した。
我々はSr$_3$Ru$_2$O$_7$や遷移金属ジアルコゲナイドなどの実験系への本研究の応用について論じる。
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