Fugu-MT 論文翻訳(概要): Gate-Tunable Spin-Orbit Coupling in a Germanium Hole Double Quantum Dot

論文の概要: Gate-Tunable Spin-Orbit Coupling in a Germanium Hole Double Quantum Dot

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2206.03653v1
Date: Wed, 8 Jun 2022 02:44:31 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-02-10 04:17:33.609125
Title: Gate-Tunable Spin-Orbit Coupling in a Germanium Hole Double Quantum Dot
Title（参考訳）: ゲルマニウムホール二重量子ドットにおけるゲート可変スピン軌道結合
Authors: He Liu, Ting Zhang, Ke Wang, Fei Gao, Gang Xu, Xin Zhang, Shu-Xiao Li, Gang Cao, Ting Wang, Jianjun Zhang, Xuedong Hu, Hai-Ou Li and Guo-Ping Guo
Abstract要約: 半導体量子ドット系に閉じ込められたホールスピンは、その強いスピン軌道相互作用(SOI)にかなりの関心を集めている。ここではゲルマニウム(Ge)ハトワイヤ(HW)の二重量子ドットにおける可変SOIを実験的に示す。このSOIのチューニング性は、Ge HWシステムにおける高忠実度量子ビットの実現への道を開くことができる。
参考スコア（独自算出の注目度）: 19.029069649697824
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: Hole spins confined in semiconductor quantum dot systems have gained considerable interest for their strong spin-orbit interactions (SOIs) and relatively weak hyperfine interactions. Here we experimentally demonstrate a tunable SOI in a double quantum dot in a Germanium (Ge) hut wire (HW), which could help enable fast all-electric spin manipulations while suppressing unwanted decoherence. Specifically, we measure the transport spectra in the Pauli spin blockade regime in the double quantum dot device.By adjusting the interdot tunnel coupling, we obtain an electric field tuned spin-orbit length lso = 2.0 - 48.9 nm. This tunability of the SOI could pave the way toward the realization of high-fidelity qubits in Ge HW systems.
Abstract（参考訳）: 半導体量子ドット系に閉じ込められたホールスピンは、強いスピン軌道相互作用(SOI)と比較的弱い超微細相互作用にかなりの関心を集めている。ここでは、ゲルマニウム(Ge)ハトワイヤ(HW)の二重量子ドットに調整可能なSOIを実験的に示す。具体的には、二重量子ドットデバイスにおけるパウリスピン遮断系の輸送スペクトルを測定し、中間トンネル結合を調整することにより、電場調整されたスピン軌道長 lso = 2.0 - 48.9 nm を得る。このSOIのチューニング性は、Ge HWシステムにおける高忠実度量子ビットの実現への道を開くことができる。

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