Fugu-MT 論文翻訳(概要): Gate-tunable, superconductor-semiconductor parametric amplifier

論文の概要: Gate-tunable, superconductor-semiconductor parametric amplifier

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2206.05746v3
Date: Mon, 8 May 2023 18:57:39 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-05-10 20:45:59.113124
Title: Gate-tunable, superconductor-semiconductor parametric amplifier
Title（参考訳）: ゲート可変超電導半導体パラメトリック増幅器
Authors: D. Phan, P. Falthansl-Scheinecker, U. Mishra, W.M. Strickland, D. Langone, J. Shabani, A.P. Higginbotham
Abstract要約: 装置の共振周波数は2GHzの範囲で電界効果を調整できる。 JoFET増幅器は、20dBの利得、4MHzの即時帯域幅、固定共振周波数で操作した場合の1dB圧縮点-125.5dBmを有する。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: We have built a parametric amplifier with a Josephson field effect transistor (JoFET) as the active element. The device's resonant frequency is field-effect tunable over a range of 2 GHz. The JoFET amplifier has 20 dB of gain, 4 MHz of instantaneous bandwidth, and a 1 dB compression point of -125.5 dBm when operated at a fixed resonance frequency.
Abstract（参考訳）: 我々はジョセフソン電界効果トランジスタ(JoFET)を有効成分とするパラメトリック増幅器を開発した。装置の共振周波数は2GHzの範囲で電界効果を調整できる。 JoFET増幅器は、20dBの利得、4MHzの即時帯域、固定共振周波数で操作した場合の1dB圧縮点-125.5dBmを有する。

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