論文の概要: An Optical Parametric Amplifier via $ \chi^{(2)} $ in AlGaAs Waveguides
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2206.10678v1
- Date: Tue, 21 Jun 2022 18:56:17 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-02-08 12:33:28.501781
- Title: An Optical Parametric Amplifier via $ \chi^{(2)} $ in AlGaAs Waveguides
- Title（参考訳）: AlGaAs導波路における $ \chi^{(2)} $ による光パラメトリック増幅器
- Authors: Zhizhong Yan, Haoyu He, Han Liu, Meng Iu, Osman Ahmed, Eric Chen,
Youichi Akasaka, Tadashi Ikeuchi and Amr S. Helmy
- Abstract要約: 偏光に敏感なパラメトリックゲインはスペクトルの1550nm領域内で達成できる。
この感度は0.1光子/パルスに到達し、小型のマイクロメータースケールデバイスを用いたオンチップ量子情報処理の新しい時代を開拓することができる。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 6.542473603050161
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: We report parametric gain by utilizing $ \chi^{(2)} $ non-linearities in a
semiconductor Bragg Reflection Waveguide (BRW) waveguide chip. Under the
two-mode degenerate type II phase matching, it can be shown that more than 18
dBs of parametric gain for both TE and TM modes is tenable in 100s of
micrometers of device length. Polarization insensitive parametric gain can be
attained within the 1550 nm region of the spectrum. These AlGaAs BRW waveguides
exhibit sub-photon per pulse sensitivity. This is in sharp contrast to other
types of parametric gain devices which utilize $ \chi^{(3)} $, where the pump
wavelength is in the vicinity of the signal wavelength. This sensitivity, which
reached 0.1~photon/pulse, can usher a new era for on-chip quantum information
processing using compact, micrometer-scale devices.
- Abstract（参考訳）: 半導体ブラッグ反射導波路 (brw) 導波路チップにおいて, $ \chi^{(2)} $ 非線形性を利用してパラメトリックゲインを報告した。
2モード縮退II型位相マッチングでは, TEモードとTMモードの両方で18dBs以上のパラメトリックゲインが100マイクロメートルのデバイス長で持続可能であることを示すことができる。
偏光非感受性パラメトリックゲインはスペクトルの1550nm領域内で達成できる。
これらのAlGaAs BRW導波路はパルス感度当たりのサブフォトンを示す。
これは$ \chi^{(3)} $を使用する他のタイプのパラメトリックゲインデバイスとは対照的で、ポンプの波長は信号波長の近傍にある。
この感度は0.1～photon/pulseに達し、小型のマイクロメートルスケールデバイスを用いたオンチップ量子情報処理の新しい時代を告げる。
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