論文の概要: Depth dependence of the radiative lifetime of shallow color centers in
single crystalline diamond
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2207.07217v1
- Date: Thu, 14 Jul 2022 22:03:28 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-02-05 01:11:28.717249
- Title: Depth dependence of the radiative lifetime of shallow color centers in
single crystalline diamond
- Title（参考訳）: 単結晶ダイヤモンドにおける浅色中心の放射寿命の深さ依存性
- Authors: Maryam Zahedian, Jietian Liu, Ricardo Vidrio, Shimon Kolkowitz,
Jennifer T. Choy
- Abstract要約: スピン軸に垂直な平面における電気双極子から光遷移が導出される浅部(100nm)欠陥の放出速度を解析するための枠組みを提供する。
我々は, (100)-, (110)-, (111)-カットダイヤモンドにおける色中心の深さ依存放射寿命の計算を行い, ダイヤモンドの他の空孔欠陥にまで拡張できることを示した。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Optically active defects in diamond are widely used as bright single-photon
sources for quantum sensing, computing, and communication. For many
applications, it is useful to place the emitter close to the diamond surface,
where the radiative properties of the emitter are strongly modified by its
dielectric environment. It is well-known that the radiative power from an
electric dipole decreases as the emitter approaches an interface with a
lower-index dielectric, leading to an increase in the radiative lifetime. For
emitters in crystalline solids, modeling of this effect needs to take into
account the crystal orientation and direction of the surface cut, which can
greatly impact the emission characteristics. In this paper, we provide a
framework for analyzing the emission rates of shallow (<100 nm) defects, in
which optical transitions are derived from electric dipoles in a plane
perpendicular to their spin axis. We present our calculations for the
depth-dependent radiative lifetime for color centers in (100)-, (110)-, and
(111)-cut diamond, which can be extended to other vacancy defects in diamond.
- Abstract（参考訳）: ダイヤモンドの光学活性欠陥は、量子センシング、計算、通信のための明るい単一光子源として広く使われている。
多くの用途において、エミッタをダイヤモンド表面の近くに配置することは有用であり、エミッタの放射特性は誘電体環境によって強く変化する。
エミッタが低インデックス誘電体との界面に近づくと、電気双極子からの放射力が減少し、放射寿命が増加することがよく知られている。
結晶性固体中のエミッタにとって、この効果のモデリングは表面カットの結晶配向と方向を考慮に入れなければならない。
本稿では, スピン軸に垂直な平面内の電気双極子から光遷移を導出する浅層(<100 nm) 欠陥の放出速度を解析するための枠組みを提案する。
我々は, (100)-, (110)-, (111)-カットダイヤモンドにおける色中心の深さ依存放射寿命の計算を行い, ダイヤモンドの他の空孔欠陥にまで拡張できることを示した。
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