論文の概要: High emission rate from a Purcell-enhanced, triggered source of pure
single photons in the telecom C-band
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2207.12898v1
- Date: Tue, 26 Jul 2022 13:46:39 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-02-03 17:02:51.064239
- Title: High emission rate from a Purcell-enhanced, triggered source of pure
single photons in the telecom C-band
- Title(参考訳): 通信用cバンドにおける純単一光子のパーセル励起誘導源からの高放射率
- Authors: Cornelius Nawrath, Raphael Joos, Sascha Kolatschek, Stephanie Bauer,
Pascal Pruy, Florian Hornung, Julius Fischer, Jiasheng Huang, Ponraj Vijayan,
Robert Sittig, Michael Jetter, Simone Luca Portalupi, Peter Michler
- Abstract要約: InAs/InGaAs/GaAs量子ドットを円ブラッグ格子に結合した通信Cバンドに出力する。
パーセルの発光の増強により、ファイバー結合した単光子カウントレートが13.9MHzの同時に高輝度となる。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Several emission features mark semiconductor quantum dots as promising
non-classical light sources for prospective quantum implementations. For
long-distance transmission [1] and Si-based on-chip processing[2, 3], the
possibility to match the telecom C-band [4] stands out, while source brightness
and high single-photon purity are key features in virtually any quantum
implementation [5, 6]. Here we present an InAs/InGaAs/GaAs quantum dot emitting
in the telecom C-band coupled to a circular Bragg grating. The Purcell
enhancement of the emission enables a simultaneously high brightness with a
fiber-coupled single-photon count rate of 13.9MHz for an excitation repetition
rate of 228MHz (first-lens collection efficiency ca. 17% for NA = 0.6), while
maintaining a low multi-photon contribution of g(2)(0) = 0.0052. Moreover, the
compatibility with temperatures of up to 40K attainable with compact cryo
coolers, further underlines the suitability for out-of-the-lab implementations.
- Abstract(参考訳): いくつかのエミッションは、将来的な量子実装のための非古典的な光源として半導体量子ドットをマークしている。
長距離伝送 [1] および si ベースのオンチップ処理 [2, 3] では、通信用 c-バンド [4] にマッチする可能性は際立っており、ソースの明るさと高い単光子純度は事実上任意の量子実装 [5, 6] において重要な特徴である。
ここでは、円ブラッグ格子に結合した通信CバンドにInAs/InGaAs/GaAs量子ドットが放出される。
パーセルの高輝度化により、光ファイバー結合単光子カウントレートが13.9MHz、励起繰り返しレートが228MHz(NA = 0.6で17%)となると同時に、g(2)(0) = 0.0052の低倍光子コントリビューションを維持することができる。
さらに、40Kまでの温度と小型冷凍機との互換性は、アウト・オブ・ザ・ラブ実装の適合性をさらに低くする。
関連論文リスト
- Purcell-enhanced single-photon emission from InAs/GaAs quantum dots coupled to broadband cylindrical nanocavities [0.0]
本研究では,InAsQDの発光速度を金属被覆GaAsナノピラーに結合することにより38倍に向上することを示した。
これらのキャビティは、4.5x10-4 (lambda/n)3のサブ波長モードボリュームと62のクオリティ係数を特徴とし、15nmの広い帯域にわたってパーセルを増幅した単一光子放出を可能にする。
論文 参考訳(メタデータ) (2024-07-16T12:06:30Z) - Site-Controlled Purcell-Induced Bright Single Photon Emitters in Hexagonal Boron Nitride [62.170141783047974]
六方晶窒化ホウ素(hBN)でホストされる単一光子エミッタは、室温で動作する量子フォトニクス技術にとって必須の構成要素である。
我々はPurcellにより誘導されるサイト制御SPEのためのプラズモンナノ共振器の大規模アレイを実験的に実証した。
我々の結果は、明るく、均一に統合された量子光源の配列を提供し、堅牢でスケーラブルな量子情報システムへの道を開いた。
論文 参考訳(メタデータ) (2024-05-03T23:02:30Z) - Polarized and bright telecom C-band single-photon source from InP-based
quantum dots coupled to elliptical Bragg gratings [0.0]
楕円型ブラッググレーティング(EBG)キャビティをベースとして,通信Cバンド内で動作する明るい偏光単光子源を実証した。
この装置は、0.986の偏光比、g2(0)78$pm$0.016の単光子純度、第1レンズでの単光子収集効率の24%を達成する。
論文 参考訳(メタデータ) (2024-01-25T13:02:39Z) - Observation of large spontaneous emission rate enhancement of quantum
dots in a broken-symmetry slow-light waveguide [0.0]
埋め込み量子ドットを用いたナノフォトニック導波路プラットフォーム(QD)の実証
この設計では、低光域に放射周波数を合わせるためにQDチューニングを施したグライド平面フォトニック結晶導波路のスローライト効果を利用する。
次に、導波路モードに高次カイラル結合を有するドットに対して、5倍のパーセル拡張を示す。
論文 参考訳(メタデータ) (2022-08-12T18:42:16Z) - Ultrabright and narrowband intra-fiber biphoton source at ultralow pump
power [51.961447341691]
高輝度の非古典的な光子源は、量子通信技術の鍵となる要素である。
ここでは,中空コアファイバ内の低温原子の光密度アンサンブルに自発4波混合を用いることで,狭帯域非古典光子対の生成を実証する。
論文 参考訳(メタデータ) (2022-08-10T09:04:15Z) - Silicon nitride waveguides with intrinsic single-photon emitters for
integrated quantum photonics [97.5153823429076]
我々は、SiN中の固有の単一光子放射体から、同じ物質からなるモノリシック集積導波路への光子の最初のカップリングに成功したことを示す。
その結果、スケーラブルでテクノロジー対応の量子フォトニック集積回路の実現に向けた道を開いた。
論文 参考訳(メタデータ) (2022-05-17T16:51:29Z) - Single quantum emitters with spin ground states based on Cl bound
excitons in ZnSe [55.41644538483948]
InSeにおけるCl不純物に基づく電子スピン量子ビットを持つ新しいタイプの単一光子エミッタを示す。
その結果, 単一Cl不純物はフォトニック界面を有する単一光子源として好適であることが示唆された。
論文 参考訳(メタデータ) (2022-03-11T04:29:21Z) - A Pure and indistinguishable single-photon source at telecommunication
wavelength [0.7550017472513711]
GaAsに埋め込まれたInAs量子ドットは、高品質な単一光子の優れたほぼ決定論的源である。
本稿では,量子ドットから約1550nmのCバンドに単一光子を変換する量子周波数変換方式を提案する。
論文 参考訳(メタデータ) (2022-01-07T14:25:06Z) - Bright Purcell enhanced single-photon source in the telecom O-band based
on a quantum dot in a circular Bragg grating [0.0]
半導体量子ドット(QD)とフォトニックキャビティの組み合わせは、古典的でない光源を実現する上で有望な方法である。
本研究は,通信Oバンド中に放出されるInGaAs/GaAsQDと円ブラッグ格子共振器とのカップリングを実演する。
論文 参考訳(メタデータ) (2021-07-07T15:50:46Z) - Room temperature single-photon emitters in silicon nitride [97.75917079876487]
二酸化ケイ素基板上に成長した窒化ケイ素(SiN)薄膜における室温単一光子放射体の初観測について報告する。
SiNは近年、集積量子フォトニクスの最も有望な材料として登場し、提案されたプラットフォームは、量子オンチップデバイスのスケーラブルな製造に適している。
論文 参考訳(メタデータ) (2021-04-16T14:20:11Z) - Coherent and Purcell-enhanced emission from erbium dopants in a
cryogenic high-Q resonator [68.8204255655161]
19マイクロメートルの薄いエルビウムドープ結晶を、900万倍の低温ファブリペロ共振器に統合する。
我々のシステムは、長距離量子ネットワークのための一貫性と効率のよいノードを可能にする。
論文 参考訳(メタデータ) (2020-06-25T07:53:16Z)
関連論文リストは本サイト内にある論文のタイトル・アブストラクトから自動的に作成しています。
指定された論文の情報です。
本サイトの運営者は本サイト(すべての情報・翻訳含む)の品質を保証せず、本サイト(すべての情報・翻訳含む)を使用して発生したあらゆる結果について一切の責任を負いません。