論文の概要: Characterization of single shallow silicon-vacancy centers in 4H-SiC

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2209.12722v2
• Date: Thu, 6 Apr 2023 18:51:57 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-04-10 15:13:11.092564
• Title: Characterization of single shallow silicon-vacancy centers in 4H-SiC
• Title（参考訳）: 4H-SiCにおける単一浅いシリコン空孔中心のキャラクタリゼーション
• Authors: Harpreet Singh, Mario Alex Hollberg, Misagh Ghezellou, Jawad Ul-Hassan, Florian Kaiser and Dieter Suter
• Abstract要約: 表面近傍(100nm)の空孔中心は、スピン緩和率と光スピン偏光率が異なる。 このような中心のスピン特性について述べる。 また、信号が単一中心から発生したことを検証し、異なる電子状態間の遷移率を抽出するために、強度相関データも提示する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.6263481844384227
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Shallow negatively charged silicon-vacancy centers have applications in magnetic quantum sensing and other quantum applications. Vacancy centers near the surface (within 100 nm) have different spin relaxation rates and optical spin polarization, affecting the optically detected magnetic resonance (ODMR) signal. This makes it essential to characterize these centers. Here we present the relevant spin properties of such centers. ODMR with a contrast of up to 6 %, which is better than the state of the art, allowed us to determine the zero field splitting, which is relevant for most sensing applications. We also present intensity-correlation data to verify that the signal originates from a single center and to extract transition rates between different electronic states.
• Abstract（参考訳）: 浅い負電荷のシリコン空洞中心は、磁気量子センシングやその他の量子応用に応用されている。 表面付近(100nm)の空隙中心はスピン緩和率と光スピン偏光率が異なるため、光学的に検出された磁気共鳴(odmr)信号に影響を及ぼす。 そのため、これらの中心を特徴付けることが不可欠である。 ここでは、そのような中心の関連するスピン特性を示す。 odmrは最大6パーセントのコントラストを持ち,最先端技術よりも優れているため,ほとんどのセンシングアプリケーションで関連するゼロフィールドスプリットを決定することができた。 また、信号が単一中心から発生したことを検証し、異なる電子状態間の遷移率を抽出するために強度相関データも提示する。

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