論文の概要: Numerical study of Valence Band states evolution in AlGaAs [111] QDs systems

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2301.03490v2
• Date: Sat, 15 Jul 2023 21:26:19 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-07-18 23:40:30.130655
• Title: Numerical study of Valence Band states evolution in AlGaAs [111] QDs systems
• Title（参考訳）: AlGaAs[111]QDs系におけるバレンスバンド状態の進化に関する数値的研究
• Authors: M. Lazarev
• Abstract要約: GaAs/AlGaAs[111]QDと量子ドット分子(QDM)の光学的性質の研究に焦点をあてる。 逆ピラミッドにおけるQDの特定のユースケースに適応したLuttinger Kohnモデルを用いて数値シミュレーションを行った。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Quantum Dots are very attractive nanostructures from an application point of view due to their unique optical properties. Optical properties and Valence Band states character was numerically investigated from the effect of nanostructure geometry and composition. Numerical simulation was carried out using Luttinger Kohn model adapted to the particular use case of QDs in inverted pyramids. We present the source code of the 4 band Luttinger Kohn model that can be used to model AlGaAs or InGaAs nanostructures. Here we focus on the optical properties study of GaAs/AlGaAs [111] QDs and Quantum Dot Molecules (QDMs). We examine the dependence of Ground State (GS) optical properties on their structural parameters and predict optimal parameters of the QD and QDM systems to achieve the dynamic control of GS polarization by the applied electric field.
• Abstract（参考訳）: 量子ドットは、そのユニークな光学特性のために応用の観点から非常に魅力的なナノ構造である。 ナノ構造形状と組成の影響から光学特性と原子価バンド特性を数値的に検討した。 逆ピラミッドにおけるQDの特定のユースケースに適応したLuttinger Kohnモデルを用いて数値シミュレーションを行った。 本稿では,AlGaAsまたはInGaAsナノ構造をモデル化できる4バンドLuttinger Kohnモデルのソースコードについて述べる。 ここでは、GaAs/AlGaAs[111]QDと量子ドット分子(QDM)の光学的性質の研究に焦点を当てる。 電場によるGS偏光の動的制御を実現するため, 地中状態(GS)の光学特性がそれらの構造パラメータに依存することを検証し, QDおよびQDMシステムの最適パラメータを予測する。

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