論文の概要: Streaking single-electron ionization in open-shell molecules driven by
X-ray pulses
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2302.07095v1
- Date: Tue, 14 Feb 2023 14:48:55 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-02-15 15:17:57.675258
- Title: Streaking single-electron ionization in open-shell molecules driven by
X-ray pulses
- Title(参考訳): X線パルス駆動開殻分子の単一電子イオン化
- Authors: M. E. Mountney, T. C. Driver, A. Marinelli, M. F. Kling, J. P. Cryan,
A. Emmanouilidou
- Abstract要約: 我々はHartree-Fockフレームワークにおける開殻分子の連続分子波動関数を得る。
我々は、円偏光赤外パルス(IR)を用いて電子力学を制御または歪曲する。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
- Abstract: We obtain continuum molecular wavefunctions for open-shell molecules in the
Hartree-Fock framework. We do so while accounting for the singlet or triplet
total spin symmetry of the molecular ion, that is, of the open-shell orbital
and the initial orbital where the electron ionizes from. Using these continuum
wavefunctions, we obtain the dipole matrix elements for a core electron that
ionizes due to single-photon absorption by a linearly polarized X-ray pulse.
After ionization from the X-ray pulse, we control or streak the electron
dynamics using a circularly polarized infrared (IR) pulse. For a high intensity
IR pulse and photon energies of the X-ray pulse close to the ionization
threshold of the $1{\sigma}$ or $2{\sigma}$ orbitals, we achieve control of the
angle of escape of the ionizing electron by varying the phase delay between the
X-ray and IR pulses. For a low intensity IR pulse, we obtain final electron
momenta distributions on the plane of the IR pulse and we find that many
features of these distributions correspond to the angular patterns of electron
escape solely due to the X-ray pulse.
- Abstract(参考訳): 開殻分子に対する連続分子波動関数をhartree-fockフレームワークで求める。
我々は、分子イオン、すなわち開殻軌道と電子がイオン化する初期軌道の一重項または三重項の全スピン対称性を計算しながらそうする。
これらの連続波動関数を用いて、線形偏光X線パルスによる単光子吸収によりイオン化するコア電子の双極子行列要素を得る。
x線パルスからのイオン化後、円偏光赤外(ir)パルスを用いて電子のダイナミクスを制御または引き裂く。
1{\sigma}$または2{\sigma}$軌道のイオン化しきい値に近いx線パルスの高出力irパルスと光子エネルギーのために、x線とirパルスの位相遅延を変化させて、イオン化電子の脱離角度を制御する。
低強度のIRパルスに対して、IRパルスの平面上の最終的な電子モーメント分布を求め、これらの分布の多くの特徴がX線パルスのみによる電子逃避の角パターンに対応していることがわかった。
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