論文の概要: Subgap spectroscopy along hybrid nanowires by nm-thick tunnel barriers
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2303.00903v1
- Date: Thu, 2 Mar 2023 01:54:01 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-03-03 16:28:28.568139
- Title: Subgap spectroscopy along hybrid nanowires by nm-thick tunnel barriers
- Title（参考訳）: nm厚トンネル障壁によるハイブリッドナノワイヤのサブギャップ分光
- Authors: Vukan Levajac, Ji-Yin Wang, Grzegorz P. Mazur, Cristina Sfiligoj,
Mathilde Lemang, Jan Cornelis Wolff, Alberto Bordin, Ghada Badawy, Sasa
Gazibegovic, Erik P. A. M. Bakkers, Leo P. Kouwenhoven
- Abstract要約: トンネル分光法は、マヨラナゼロモード(MZM)を探索する際に半導体超伝導ナノ構造のサブギャップスペクトルを調べるために広く用いられている。
そこで我々は,これらの制限を克服するために,別のタイプのトンネルプローブを開発する。
このような薄い孤立層では、トンネルプローブは金属鉛の影壁角堆積により、ハイブリッドナノワイヤの任意の位置で任意に定義される。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
- Abstract: Tunneling spectroscopy is widely used to examine the subgap spectra in
semiconductor-superconductor nanostructures when searching for Majorana zero
modes (MZMs). Typically, semiconductor sections controlled by local gates at
the ends of hybrids serve as tunnel barriers. Besides detecting states only at
the hybrid ends, such gate-defined tunnel probes can cause the formation of
non-topological subgap states that mimic MZMs. Here, we develop an alternative
type of tunnel probes to overcome these limitations. After the growth of an
InSb-Al hybrid nanowire, a precisely controlled in-situ oxidation of the Al
shell is performed to yield a nm-thick Al oxide layer. In such thin isolating
layer, tunnel probes can be arbitrarily defined at any position along the
hybrid nanowire by shadow-wall angle-deposition of metallic leads. This allows
us to make multiple tunnel probes along single nanowire hybrids and to
successfully identify Andreev bound states (ABSs) of various spatial extension
residing along the hybrids.
- Abstract（参考訳）: トンネル分光法は、マヨラナゼロモード(MZM)を探索する際に半導体超伝導ナノ構造のサブギャップスペクトルを調べるために広く用いられている。
通常、ハイブリッドの端の局所ゲートによって制御される半導体セクションはトンネルバリアとして機能する。
ハイブリッド端のみの状態を検出することに加えて、そのようなゲート定義のトンネルプローブは、MZMを模倣する非トポロジカルサブギャップ状態を形成する。
そこで我々は,これらの限界を克服するための代替型トンネルプローブを開発した。
InSb-Alハイブリッドナノワイヤの成長後、正確に制御されたAlシェルのその場酸化を行い、nm厚のAl酸化物層が得られる。
このような薄い孤立層では、トンネルプローブは金属鉛の影壁角堆積によりハイブリッドナノワイヤの任意の位置で任意に定義される。
これにより、単一ナノワイヤハイブリッドに沿って複数のトンネルプローブを作成でき、ハイブリッドに沿っている様々な空間的拡張のAndreev境界状態(ABS)をうまく特定できる。
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