Fugu-MT 論文翻訳(概要): The positively charged carbon vacancy defect as a near-infrared emitter in 4H-SiC

論文の概要: The positively charged carbon vacancy defect as a near-infrared emitter in 4H-SiC

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2305.17483v1
Date: Sat, 27 May 2023 14:27:03 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-05-30 18:57:50.026403
Title: The positively charged carbon vacancy defect as a near-infrared emitter in 4H-SiC
Title（参考訳）: 4H-SiCにおける近赤外放射体としての正電荷炭素空孔欠陥
Authors: Meysam Mohseni, P\'eter Udvarhelyi, Gerg\H{o} Thiering, and Adam Gali
Abstract要約: 我々は, 4H多型炭化ケイ素 (4H-SiC) の正電荷炭素空孔欠陥をテクティタブ初期計算により再検討した。励起状態は、4H-SiCにおける炭素空孔のいわゆるhサイト構成に対して光学的に活性であり、ゼロフォノン線は0.65mathrmeV$である。我々はこの欠陥をIR-B領域における異方性常磁性近赤外放射体として提案する。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Abstract: Certain intrinsic point defects in silicon carbide are promising quantum systems with efficient spin-photon interface. Despite carbon vacancy in silicon carbide is an elementary and relatively abundant intrinsic defect, no optical signal has been reported associated with it. Here, we revisit the positively charged carbon vacancy defects in the 4H polytype of silicon carbide (4H-SiC) by means of \textit{ab initio} calculations. We find that the excited state is optically active for the so-called h-site configuration of carbon vacancy in 4H-SiC, with zero-phonon line at $0.65~\mathrm{eV}$. We propose this defect as an exotic paramagnetic near-infrared emitter in the IR-B region.
Abstract（参考訳）: 炭化ケイ素の固有の点欠陥は、効率的なスピン-光子界面を持つ有望な量子系である。炭化ケイ素の炭素空隙は初等で比較的豊富な本質的欠陥であるが、それに関連する光信号は報告されていない。ここでは,炭化ケイ素の4Hポリタイプ (4H-SiC) における正電荷の炭素空孔欠陥をtextit{ab initio} 計算により再検討する。励起状態は4h-sicにおける炭素空孔のhサイト配置に光学活性があり、ゼロフォノン線は0.65〜\mathrm{ev}$である。この欠陥をir-b領域における異種常磁性近赤外放射体として提案する。

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