論文の概要: Automated long-range compensation of an rf quantum dot sensor

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2310.02135v1
• Date: Tue, 3 Oct 2023 15:16:43 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-10-04 13:37:48.291808
• Title: Automated long-range compensation of an rf quantum dot sensor
• Title（参考訳）: rf量子ドットセンサの長距離自動補償
• Authors: Joseph Hickie, Barnaby van Straaten, Federico Fedele, Daniel Jirovec, Andrea Ballabio, Daniel Chrastina, Giovanni Isella, Georgios Katsaros, Natalia Ares
• Abstract要約: 電荷センシングは、特にスピン量子ビットの読み出しにおいて重要な量子デバイスを探索するための感度の高い技術である。 本稿では,このクロストーク効果を補正する手法を提案し,測定装置のゲート電圧を1V x 1 V窓に印加する手法を提案する。 我々のアルゴリズムは、大規模な量子デバイスアーキテクチャの運用に必要な、完全に自動化されたソリューションスイートへの重要な貢献である。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Charge sensing is a sensitive technique for probing quantum devices, of particular importance for spin qubit readout. To achieve good readout sensitivities, the proximity of the charge sensor to the device to be measured is a necessity. However, this proximity also means that the operation of the device affects, in turn, the sensor tuning and ultimately the readout sensitivity. We present an approach for compensating for this cross-talk effect allowing for the gate voltages of the measured device to be swept in a 1 V x 1 V window while maintaining a sensor configuration chosen by a Bayesian optimiser. Our algorithm is a key contribution to the suite of fully automated solutions required for the operation of large quantum device architectures.
• Abstract（参考訳）: 電荷センシングは、特にスピン量子ビットの読み出しにおいて重要な量子デバイスを探索するための感度の高い技術である。 良好な読み出し感性を実現するためには、測定対象デバイスへの電荷センサの近接が不可欠である。 しかし、この近接はデバイスの動作がセンサーのチューニングに影響を与え、最終的に読み出し感度に影響を及ぼすことを意味する。 本稿では,計測装置のゲート電圧を1v×1vのウィンドウにスイープし,ベイズ光子によって選択されたセンサ構成を維持しながら,このクロストーク効果を補償する手法を提案する。 我々のアルゴリズムは,大規模量子デバイスアーキテクチャの運用に必要な完全自動化ソリューション群への重要な貢献である。

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