論文の概要: Isolation of Single Donors in ZnO

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2310.05806v3
• Date: Wed, 17 Jan 2024 21:55:34 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2024-01-19 19:57:06.581590
• Title: Isolation of Single Donors in ZnO
• Title（参考訳）: ZnOにおける単一ドナーの分離
• Authors: Ethan R. Hansen, Vasileios Niaouris, Bethany E. Matthews, Christian Zimmermann, Xingyi Wang, Roman Kolodka, Lasse Vines, Steven R. Spurgeon, Kai-Mei C. Fu
• Abstract要約: 酸化亜鉛(ZnO)の浅いドナーは光アクセスを持つ有望な半導体スピンキュービットである。 単一インジウムドナーはプラズマ集光イオンビーム(PFIB)ミリングを用いて商用O基板に分離される。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.5500796511783379
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: The shallow donor in zinc oxide (ZnO) is a promising semiconductor spin qubit with optical access. Single indium donors are isolated in a commercial ZnO substrate using plasma focused ion beam (PFIB) milling. Quantum emitters are identified optically by spatial and frequency filtering. The indium donor assignment is based on the optical bound exciton transition energy and magnetic dependence. The single donor emission is intensity and frequency stable with a transition linewidth less than twice the lifetime limit. The isolation of optically stable single donors post-FIB fabrication is promising for optical device integration required for scalable quantum technologies based on single donors in direct band gap semiconductors.
• Abstract（参考訳）: 酸化亜鉛(ZnO)の浅いドナーは光アクセスを持つ有望な半導体スピンキュービットである。 単一インジウム供与体は、プラズマ集光イオンビーム(PFIB)ミリングを用いて市販のZnO基板に分離される。 量子エミッタは空間および周波数フィルタリングによって光学的に識別される。 インジウムドナーの割り当ては、光学束縛励起子遷移エネルギーと磁気依存に基づいている。 単一ドナー放出は強度と周波数が安定であり、遷移線幅は寿命の2倍未満である。 fib製造後の光学安定なシングルドナーの分離は、直接バンドギャップ半導体の単一ドナーに基づくスケーラブルな量子技術に必要な光学デバイス統合に有望である。

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