論文の概要: Photo-dynamics of quantum emitters in aluminum nitride
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2310.18190v1
- Date: Fri, 27 Oct 2023 15:02:53 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-10-30 13:34:18.245215
- Title: Photo-dynamics of quantum emitters in aluminum nitride
- Title(参考訳): 窒化アルミニウム中の量子エミッタの光力学
- Authors: Yanzhao Guo, John P. Hadden, Rachel N. Clark, Samuel G. Bishop, and
Anthony J. Bennett
- Abstract要約: 窒化アルミニウム中の量子エミッタは、レーザーパワー依存の挙動が異なる6つの内部エネルギーレベルを含む。
光誘起イオン化や再結合など、電力依存のシェルヴィング・デシェルヴィングプロセスが検討されている。
状態人口動態シミュレーションは、量子エミッターの時間的挙動を定性的に説明する。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Aluminum nitride is a technologically important wide bandgap semiconductor
which has been shown to host bright quantum emitters. In this paper, we probe
the photodynamics of quantum emitters in aluminum nitride using photon emission
correlations and time-resolved spectroscopy. We identify that each emitter
contains as many as 6 internal energy levels with distinct laser
power-dependent behaviors. Power-dependent shelving and de-shelving processes,
such as optically induced ionization and recombination are considered,
indicating complex optical dynamics associated with the spontaneous and
optically pumped transitions. State population dynamics simulations
qualitatively explain the temporal behaviours of the quantum emitters,
revealing that those with pump-dependent de-shelving processes can saturate at
significantly higher intensities, resulting in bright room-temperature quantum
light emission.
- Abstract(参考訳): 窒化アルミニウムは技術的に重要な広帯域半導体であり、明るい量子エミッタを担っていることが示されている。
本稿では,光子放射相関と時間分解分光法を用いて窒化アルミニウム中の量子エミッタの光力学を調べる。
各エミッタは,レーザーパワー依存性の異なる内部エネルギー準位を最大6つ含むことが判明した。
光誘起イオン化や再結合などの電力依存型シェルビング・デシェルビングプロセスは、自然および光ポンピング遷移に関連する複雑な光学力学を示す。
状態人口動態シミュレーションは、量子エミッターの時間的挙動を定性的に説明し、ポンプ依存のデシェルビング過程を持つ者は、非常に高い強度で飽和し、室温の明るい量子発光をもたらすことを示した。
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